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RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

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1#
发表于 2022-10-9 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到项目问题,TX POWER 测试,在RF测试座处和IPEX 座处功率差异,高频竟然查将近2dbm,两者之间只有一小段trace和一个L型匹配,将通路调至50Ω后,高频功率测试仍然差1.3dbm。
4 [# J- [2 l/ [8 F% f. W1 [  y* Q1 G, l: E0 a
请教一下高人,IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊? RF测试座下面也要挖空吗?
0 H2 E) d4 T) w! U; _是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大,用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。
( l- o& P/ [$ a* s: i6 X

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2#
发表于 2022-10-9 14:00 | 只看该作者
其实走线只要做了50ohm,测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉,焊猪尾巴测测看,焊的时候接地要尽量靠近信号。

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3#
发表于 2022-10-9 14:14 | 只看该作者
你的I-PEX是用那种扣线测的?还是呈标的标准测试线?那种几块一根的扣线,测高频,测多几次不准的概率极大,吹掉焊根铜管看一看;
3 ?( }8 s5 j' o+ i% y另外,注意你的射频线,是不是下方扣地了?如果扣地了,线离两侧地太近,对高频也会有影响的。

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4#
发表于 2023-2-9 09:37 | 只看该作者
IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过; y$ [  Z" t/ v. k6 L, |
你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽. b3 a5 t9 P, I. ]  r
都还比IPEX焊盘细  0 O! M- n7 a8 Z) \

' e$ ^0 x3 x$ [9 _% Q至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖+ e3 T! F7 k1 m' G" P0 }5 x7 s
总之  焊盘挖空的用意是+ H1 t  O) F" y

$ ^) J" Q. m% d7 S4 w8 D1.        阻抗接近50奥姆; x$ w2 U4 h7 J9 Q
2.        降低寄生电容/ ^1 I- w' y+ _8 C  A# t! s
7 O6 |3 n5 _" a7 h# G' I
先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多
3 P* N/ x. R6 U% j; R8 e你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆( o- N6 ~6 W6 N9 N+ t# U; D
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
* g2 I4 }+ @$ O- e: h+ |' b- S. j
! D+ C2 v) n8 O  t& e8 p至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右
/ I$ l/ A. @! ~! H) q这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响8 H) _, S/ q: b+ f8 K
建议你用测试座去量   才会比较准' G: I( p6 f. A" }4 G) j9 H
因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现; }) J2 \" J0 J$ J  d" V% [
用铜管去量   是显现不出来的) l' K( d2 S' E% a8 I
  ]' F# @7 O9 Z' q$ e

, c: t" P% M) F6 N& E$ v3 m  X9 [5 L8 e* J2 W
0 x8 ]' h; C* ?: v; c  m( \
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