走的DDR2的一个模块，大家帮忙看看，走线规则和方案可不可行！欢迎拍砖！！

ai小叶

      根据走线规则，和一些前辈的例子指导，自己画的一块DDR2和主芯片的走线，一些细节上处理的不好，没有扇出，只是很粗糙的打的孔走的额线！有很多疑问，希望和走过的和在接触DDR的朋友探讨:
1 M2 F( ?" `9 z' o' J+ _细节上：
1.我把所有的DQ线都走在了顶层，没有严格的分成两组，长度匹配上也不是严格根据DQS等长的，只是这一组线的误差+/-20,范围是1300~1340mil，让我困惑的是，数据线几乎都要进行时序的调整；
) L$ z  b. D% m6 B2.为了保证始终线的质量，我把命令和控制走在了顶层，所有的地址线走在底层了
" P+ W& n. }: S3.始终的长度是1600mil,但是因为有几根绕的很长，这一组的长度范围是1400~1800mil，在时钟的+/-200mil，但是有几根绕的很长，有两根接近400mil，是不是可以换到底层？
9 d+ f) M% `; W/ }& t4.clk要与周围的线有20mil的间距，是在网路中进行设置吗？
5.VREF，我走在顶层的最外侧，是因为这根要走跟粗线；
4 z5 b! u' f( R' T% C6 T! U方向上：
0 w( Z3 ?+ ?/ L9 z5 G/ v还有两点疑问：
1.DDR3可以也采用这样的方案走吗？
8 F0 ]8 J  I0 c  p, W+ K' M" U# m2.电容和电阻没有放上，电源地的处理上，有什么好的建议吗？
5 y$ v$ z. ~, j9 e: G4 {$ R' l4 T3.感觉蛇形走线，走的不好看！

ai小叶

恳请前辈们指教！！！！！！！！！！！

wangcjishu

为什么DDR要斜45度布局？有什么特殊要求吗？

songyx

个人见解：
1.ddr3和ddr2在本质上区别不大，或者说对于layout来说区别不大，主要是在等长的精度上更加严格
2.电源、地管脚就近打孔，内层用平面，尽量让ddr不相关电源远离ddr区域
3.等长的问题就见仁见智了，每个人审美不同，主要是加大gap减小高度避免串扰
仅供参考

songyx

ai小叶

wangcjishu 发表于 2012-1-13 09:34
' H$ s. I7 I( i" p为什么DDR要斜45度布局？有什么特殊要求吗？

! v  x; _9 Q! j( Q  H7 j7 X因为DDR的所有引脚的定义，都在那个角上，所有我觉得是不是把DDR摆成45度更好走一些！主观想法

ai小叶

songyx 发表于 2012-1-13 09:53

" U; J3 e6 ]$ \' W等长的和规整，很漂亮

rose_333

走得很漂亮，放成45度，我猜是为了好走等长线吧。只要等长就好，电容要就近好。最好分组，同一组放在同一层。多看看别人走的就好了。