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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-7-1 18:37 编辑
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' i+ z7 u! ^! R" VMOS管电平转换电路8 V$ W q0 j3 s8 N7 `4 v* I, ~
电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。
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上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路,实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件,也有5V的器件,通过这个电路,大家就可以愉快地玩耍聊天了。- A+ i. k. g9 h N7 e
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实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆,可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下,我喜欢用阻值更大的电阻,因为功耗更低更省电。
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9 V) g) l: j1 Z& ^' T原理分析
0 ~. N3 }& P8 L8 ^$ N8 l简化来看,留下I2C的一根线来分析就可以了,如下图。7 ~3 w. d: P, ~- \
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分四种情况:
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1、当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管关闭,SDA2被电阻R3上拉到5V。0 z L0 R% |5 U% V
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2、当SDA1输出低电平时:MOS管Q1的Vgs = 3.3V,大于导通电压,MOS管导通,SDA2通过MOS管被拉到低电平。
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' G& o7 z6 Q' I1 \3、当SDA2输出高电平时:MOS管Q1的Vgs不变,MOS维持关闭状态,SDA1被电阻R2上拉到3.3V。
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5 R% Y& Q/ O% f6 Z0 e) F) D8 P4、当SDA2输出低电平时:MOS管不导通,但是它有体二极管!MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,MOS管导通,进一步拉低了SDA1的电压。 H& X# H2 \ v& H( I( R
2 N3 b" [. Z0 [7 S* d1 S5 `注:低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件,其高电平为等于或接近3.3V;5V电压域的器件,其高电平为等于或接近5V。
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$ y/ s7 v$ P z6 P: F/ d) G具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的,常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平,0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。也就是说“芯片供电电压”为5V的时候,5 x 0.3 = 1.5V 以下为低电平,5 x 0.7 = 3.5V 以上为高电平。/ l* ~1 H U) S7 \0 Y) ]
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某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明5 o7 G# T0 c1 B5 h8 f+ N
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/ c/ Z. G& u; K0 T0 f$ w注意事项, ]- ?( Q7 w$ ^. K( B& U
以上是3.3V与5V之间的情况,如果换用其他电压域之间的转换,如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间,需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。
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给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏!给过低的Vgs会导致MOS管打不开!不同型号的MOS管这个参数值还不一样!!!
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举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs不能超过正负20V" m0 x, G7 @8 g- n* s6 t8 X
再来看一下,设计电路时Vgs可能设计过小的情况,下图是2N7002的数据手册: : N4 B) M, Z5 V, b# P
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+ a/ j" p! R p f) r: P* z7 l举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs的开启电压为1V
3 ~% ]2 y3 w. I9 |. F9 ]) c# q# I: \! | 实际使用时为保证完全开启、完全导通,设计上要多预留余量,比如实际电路中Vgs起码给到1.8V。因为1.8V的设计参数接近数据手册标注的1V临界值,尤其注意用实验验证,确保万无一失。. P u8 Y" ? \# U9 n2 p$ f
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总结
8 \# D5 {0 @3 ]' C0 l3.3V跟5V互转的电路已经是一个经典电路,实在是硬件设计师居家旅行、护院看家,必备良药!MOS管型号就记住用2N7002,这个型号便宜,性能久经考验,不像有些MOS管外型看起来跟2N7002一样,但实际是大功率的,有部分性能规格浪费了,有部分性能规格又不一定能满足需要,主要是还贼贵,具体其他MOS是怎样的这里就不细究啦。/ e! H" t* k! |4 G, o
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