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经典MOS管电平转换电路

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发表于 2022-7-1 15:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-7-1 18:37 编辑
! r6 [# L4 R- g+ ]
/ Q0 J- `- p( D" Z' L1 f 4 o: Z( W7 n7 r# ?, p3 z

' i+ z7 u! ^! R" VMOS管电平转换电路8 V$ W  q0 j3 s8 N7 `4 v* I, ~
电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。
, n+ s5 L* e# l5 g4 }" _5 ]( k7 T8 K2 V& e1 G+ \7 S4 f4 x
上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路,实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件,也有5V的器件,通过这个电路,大家就可以愉快地玩耍聊天了。- A+ i. k. g9 h  N7 e
/ p7 s8 c* D" e3 V
实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆,可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下,我喜欢用阻值更大的电阻,因为功耗更低更省电。
# k" Y- e) ~1 Q+ ]: W1 @$ ^
9 V) g) l: j1 Z& ^' T原理分析
0 ~. N3 }& P8 L8 ^$ N8 l简化来看,留下I2C的一根线来分析就可以了,如下图。7 ~3 w. d: P, ~- \

3 f6 U- O# p4 a; H8 y, X0 Q1 U9 z: q: y9 ^+ c6 ^1 ?8 A$ T

/ h/ [" l& g; v6 |) B- v7 S, l0 t! C- R1 Q5 ?2 r
7 f  ?* {" U- A6 Y% o/ n9 F: Q
分四种情况:
: D$ m% u7 R1 G: B5 g9 e. k4 Q! ~5 _6 H' T. n) z" s0 @4 T
1、当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管关闭,SDA2被电阻R3上拉到5V。0 z  L0 R% |5 U% V
! K4 V- B6 Y; p6 l& z; e
2、当SDA1输出低电平时:MOS管Q1的Vgs = 3.3V,大于导通电压,MOS管导通,SDA2通过MOS管被拉到低电平。
. g0 ?: J3 `8 X8 T( M) O# B3 n
' G& o7 z6 Q' I1 \3、当SDA2输出高电平时:MOS管Q1的Vgs不变,MOS维持关闭状态,SDA1被电阻R2上拉到3.3V。
' A# F# P5 x1 x
5 R% Y& Q/ O% f6 Z0 e) F) D8 P4、当SDA2输出低电平时:MOS管不导通,但是它有体二极管!MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,MOS管导通,进一步拉低了SDA1的电压。  H& X# H2 \  v& H( I( R

2 N3 b" [. Z0 [7 S* d1 S5 `注:低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件,其高电平为等于或接近3.3V;5V电压域的器件,其高电平为等于或接近5V。
( u9 ]( l( Q2 s2 J  L1 d5 ~
$ y/ s7 v$ P  z6 P: F/ d) G具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的,常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平,0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。也就是说“芯片供电电压”为5V的时候,5 x 0.3 = 1.5V 以下为低电平,5 x 0.7 = 3.5V 以上为高电平。/ l* ~1 H  U) S7 \0 Y) ]
2 ]% J1 ~6 j9 h' D$ q4 K# ], W
5 A: h  S4 h. @- ^" U4 ^
某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明5 o7 G# T0 c1 B5 h8 f+ N
! g0 k2 H$ R6 t) `

/ c/ Z. G& u; K0 T0 f$ w注意事项, ]- ?( Q7 w$ ^. K( B& U
以上是3.3V与5V之间的情况,如果换用其他电压域之间的转换,如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间,需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。
& ^( e' t6 s0 _/ [1 k! r1 w' Q$ p+ r, s; x  s2 @
给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏!给过低的Vgs会导致MOS管打不开!不同型号的MOS管这个参数值还不一样!!!
( R0 ~0 n/ X) {2 s0 ^& Y. v! z4 A ( \: }" B" e+ I/ c
# B) |6 o' H- C- X+ z) F% \& p
举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs不能超过正负20V" m0 x, G7 @8 g- n* s6 t8 X
再来看一下,设计电路时Vgs可能设计过小的情况,下图是2N7002的数据手册: : N4 B) M, Z5 V, b# P

0 @' I2 |( Z2 r: O
+ a/ j" p! R  p  f) r: P* z7 l举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs的开启电压为1V
3 ~% ]2 y3 w. I9 |. F9 ]) c# q# I: \! | 实际使用时为保证完全开启、完全导通,设计上要多预留余量,比如实际电路中Vgs起码给到1.8V。因为1.8V的设计参数接近数据手册标注的1V临界值,尤其注意用实验验证,确保万无一失。. P  u8 Y" ?  \# U9 n2 p$ f
3 n8 R9 V" B' k6 F+ F( M$ s" x7 g, C+ H# s
总结
8 \# D5 {0 @3 ]' C0 l3.3V跟5V互转的电路已经是一个经典电路,实在是硬件设计师居家旅行、护院看家,必备良药!MOS管型号就记住用2N7002,这个型号便宜,性能久经考验,不像有些MOS管外型看起来跟2N7002一样,但实际是大功率的,有部分性能规格浪费了,有部分性能规格又不一定能满足需要,主要是还贼贵,具体其他MOS是怎样的这里就不细究啦。/ e! H" t* k! |4 G, o
————————————————
( _8 k: d' N, E% N  G5 H, D! R  x9 y4 E

, L3 U# V( Q3 R5 ^

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发表于 2022-7-5 11:35 | 只看该作者
理论虽美好,但是还要考虑信号工作频率,信号上升沿下降沿,特别是对高速信号。MOS的结电容、寄生电容不容忽视

点评

是的,高频电路会出现很多需要考虑的细节,尤其是在通讯上,目前电平转换电路我们只作为低频通讯的转换使用。  发表于 2022-7-11 15:59

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3#
发表于 2022-7-1 17:41 | 只看该作者
电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,电平转换电路就是针对模块间的通讯

点评

是的,针对不同电平通讯会搭建电平转换,确保通行正常。  详情 回复 发表于 2022-7-11 14:31

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4#
发表于 2022-7-1 21:05 | 只看该作者
如果串口 TX RX能不能双向通讯

点评

不行,USB转TTL除了需要做电平转换,还需要做协议装换(USB 通信协议-标准UART 串行通信协议),所以必须要有转换芯片。  详情 回复 发表于 2022-7-11 15:57

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5#
 楼主| 发表于 2022-7-11 14:31 | 只看该作者
aid4her 发表于 2022-7-1 17:41
+ j) C+ V) i- i; D3 x! I+ N电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,电平转换电路就是针对模块间的通讯

1 r' M, y# a1 I( s1 y是的,针对不同电平通讯会搭建电平转换,确保通行正常。
1 x. c6 M2 G/ D! A# \6 h

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2022-7-11 15:57 | 只看该作者
i265 发表于 2022-7-1 21:05
. ~1 @9 g/ Y: z  ]+ ?; r4 c, g如果串口 TX RX能不能双向通讯
" z& j0 x0 G; W1 e- `9 k
不行,USB转TTL除了需要做电平转换,还需要做协议装换(USB 通信协议-标准UART 串行通信协议),所以必须要有转换芯片。* k- F+ |: B7 R. q

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7#
发表于 2024-3-28 09:23 | 只看该作者
用这个电路搭的3.3V和1.8V的电平转换,出现了1.8V端信号有过冲是啥问题。按理我的发送和接收端都加了匹配电阻的

该用户从未签到

8#
发表于 2024-4-7 14:00 | 只看该作者
可以免费送样吗?
& G1 o3 q- n" a: w4 b, K+ }3 U6 R8 k
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