|
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2022-7-1 18:37 编辑 U( q5 W9 a; L" l
7 t5 U9 F8 v/ I2 B. x3 E: [
: F: y8 ^4 \0 E+ S$ {0 [3 \8 p+ [, x7 \, L1 }
MOS管电平转换电路, v% E( v4 ~3 ^. `2 d$ e9 t/ t- j
电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。' b' ^( Z+ n: L8 z$ o
- @* v4 F! u$ i( d- @: M: J
上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路,实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件,也有5V的器件,通过这个电路,大家就可以愉快地玩耍聊天了。8 ?% D: q; m" S# z) K! i" [
- C8 U3 v$ t8 s, R( M& G
实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆,可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下,我喜欢用阻值更大的电阻,因为功耗更低更省电。
- e+ k0 v5 A/ F% D. q/ X
% f* Q/ [9 ` p: ~原理分析
! f- Z' R' Y8 B简化来看,留下I2C的一根线来分析就可以了,如下图。9 M/ q: g% s* ?
6 p. M z' V9 @. a' J* s
3 N o4 U2 ^8 i; \5 Z% B0 x& H
4 d% ^* u( W: C8 m' G0 ~. i0 \& s
0 s- `& K( X9 j
5 D* F) W- O# u分四种情况:
7 U, P6 S5 V! @$ ?* S! {5 Y
/ r0 s8 w2 t6 A: y( { C! ?1、当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管关闭,SDA2被电阻R3上拉到5V。
( ~. Z9 @" V1 i" V, F% J& J- y6 F$ T9 e$ ]/ I
2、当SDA1输出低电平时:MOS管Q1的Vgs = 3.3V,大于导通电压,MOS管导通,SDA2通过MOS管被拉到低电平。" B: ^2 y ]0 q& J9 n- w5 W% z
6 K( T+ P7 Q! E; h+ a4 h9 G3、当SDA2输出高电平时:MOS管Q1的Vgs不变,MOS维持关闭状态,SDA1被电阻R2上拉到3.3V。/ [4 P9 Q, M8 {
& [8 u2 t; w* t8 c( s! B: r4、当SDA2输出低电平时:MOS管不导通,但是它有体二极管!MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,MOS管导通,进一步拉低了SDA1的电压。% E1 U8 h: \4 v( w+ c6 i" r
: Y5 a! ]) q, g" a
注:低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件,其高电平为等于或接近3.3V;5V电压域的器件,其高电平为等于或接近5V。' W6 Z O$ h5 m$ b' n6 J& M
. _' Z; ]7 l4 z4 }% E; V具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的,常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平,0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。也就是说“芯片供电电压”为5V的时候,5 x 0.3 = 1.5V 以下为低电平,5 x 0.7 = 3.5V 以上为高电平。
1 b3 D- l6 H+ |9 O% U9 k' W/ g0 ?
! u0 V E. Y2 x7 C5 F! i3 R* J" s( \3 _3 ~' K0 k/ Z& g3 P
某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明
! G6 u3 g: y+ G3 I& |
: F5 C4 Q- T- T% j3 [ b
- T+ g2 Y9 F- y$ X* o注意事项. t9 f( M2 P6 ~9 M
以上是3.3V与5V之间的情况,如果换用其他电压域之间的转换,如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间,需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。
" f% h3 D" s" \& ?& @5 O- T1 t) i- I) Z9 c- Z
给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏!给过低的Vgs会导致MOS管打不开!不同型号的MOS管这个参数值还不一样!!!8 A+ ] b2 ^9 f/ E
. X. H4 Q3 S! L3 M+ N0 e- U
1 t7 _* v% b Y2 L2 X举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs不能超过正负20V+ G+ k8 t! _& Z6 V
再来看一下,设计电路时Vgs可能设计过小的情况,下图是2N7002的数据手册: / L! j; d8 A1 K& p
+ Y# W4 K1 B% |3 J
! }$ N" p! R" m4 D举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs的开启电压为1V" X8 T0 u( z5 V& y
实际使用时为保证完全开启、完全导通,设计上要多预留余量,比如实际电路中Vgs起码给到1.8V。因为1.8V的设计参数接近数据手册标注的1V临界值,尤其注意用实验验证,确保万无一失。3 d9 ~% X* b: [- |$ L% Y0 S
2 m x9 a1 t* T2 @: }8 _: n
总结
$ J. S F c9 k D6 x3.3V跟5V互转的电路已经是一个经典电路,实在是硬件设计师居家旅行、护院看家,必备良药!MOS管型号就记住用2N7002,这个型号便宜,性能久经考验,不像有些MOS管外型看起来跟2N7002一样,但实际是大功率的,有部分性能规格浪费了,有部分性能规格又不一定能满足需要,主要是还贼贵,具体其他MOS是怎样的这里就不细究啦。
% C+ Z& r/ |1 p- b, y8 O————————————————. w0 k( A3 z Y& ]! l, }
+ ^! Y5 r! U. g1 i6 w) B4 \/ K; \9 ~
|
|