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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。& {9 |- p) m9 ~. F) ~9 t

' l) T% M2 K! b1 G& q60N10参数描述1 a1 d' v" ^  `8 \0 e. v( K1 a
型号:60N10* ?) X/ i0 h9 U/ a6 V" z, h) ?0 c
封装:TO-263
. ^- ^1 s4 C+ W+ Q6 ]特性:大功率MOS管
6 k$ S! N) |. L; l, ]+ ~" I电性参数:60A 100V) q, Z5 r; M1 c0 u/ P% s# O
栅极阈值电压VGS(TH):4V, i8 `# ]; C8 F' u" ?  m
连续漏极电流(ID):60A
0 |7 a1 ~2 _1 k( O6 P: @功耗(PD):160W% j& @1 t3 V: p" B" N
二极管正向电压(VSD):1.2V, j- E" [- J3 D4 R8 K, G
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ. S" n3 [4 v" Z- o0 r4 [% f
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
/ o* ]6 ]: x! S# A! a反向恢复时间(trr):35nS
4 ]& [8 m5 U5 O) R" }输出电容(Coss):182.5pF
) R6 Y, H8 ]8 t9 v; ~0 H贮存温度:-55~+175℃/ b" f, x  _5 S/ R2 S8 Y8 n( Z
引线数量:39 }! D, I0 A+ }: ~% F, e

& b/ _2 c1 o* x" V' g8 c5 O+ h+ e大功率MOS管60N10的检测方法:
$ y& v2 t# {, v1 k$ p: z1、准备2 F5 j& S  m6 P7 N# c- d  P, A' o% q/ |
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。9 Z9 t9 }' X% H+ u
, J$ Q  H+ x- j5 J, o6 A1 I. }
2、判断电极! g, K- T0 o$ K( G7 v
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。. R6 t/ J1 _/ n* `; E  t# o

4 ?6 g% U; _: @4 a* P/ L. F3、检查放大能力(跨导)
2 a' E; a4 D* G0 F: l将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。
( A. G  g& j- s8 E* b  G目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。
& c+ h( \& p) h6 x

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2#
发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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