|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
做断面分析抛光后的样品表面非常平整均匀，使用光学显微镜的明场照明，多数情况下反差不明显，需要通过刻蚀来加强。暗场照明对一些精细特征如空洞，裂缝和分层进行检查时比较有效。
5 d. W/ ~' p2 U4 GSEM可以提供微观结构的形貌图，但是由于抛光态的样品表面平整度高，也要进行刻蚀以增大反差。BSE成像在研究抛光样品中的界面反应时很有效。6 q: J+ ^4 g" _8 m
对抛光后的样品表面进行刻蚀处理，增强了样品表面的反差，能够在显微镜中观察样品反射率的变化或在SEM下清晰地观察样品表面外形特征的变化，另外还可以去除由于抛光而产生的金属变形层，以及抛光过程中嵌入的异物，比如缝隙，空洞等被填充等，所以刻蚀的根本目的是提高对微观结构的诊断可靠性。常用的刻蚀方法有化学刻蚀和离子刻蚀。
! z# f0 C: W/ t1 w9 \2 F
~( _) I# [& X0 d& }1 R" H化学刻蚀
+ d. ]' s7 `, ]' Y电化学刻蚀是常用方法，它的基本原理是利用了原电池反应，在金相样品中的微结构之间形成一次电池，在阳极区和阴极区产生电势差的变化，阳极区受到刻蚀而阴极区受到保护。阳极与阴极可能在晶粒与晶粒边界，晶粒与杂质，以及不同的微观结构之间建立。9 u& n( C* j5 G
刻蚀剂一般由腐蚀剂（酸），调节剂（酒精或甘油）和氧化剂（过氧化氢）组成，电化学腐蚀在室温下进行，操作比较简单，一般是将样品浸入刻蚀液并轻轻搅动，时间一般在几秒到几分钟之间，电化学腐蚀不是适合所有微电子元件，因为各种材料之间通常存在很大的电位差，因此会产生如局部腐蚀，阳极金属完全腐蚀等现象，因此要通过尝试掌握正确的方法和参数。化学刻蚀剂常通过试验验证得到，刻蚀时间要控制好，以免破坏样品表面信息，有时需要选择折中的方案。列举几种常用的刻蚀剂：
; K; {$ _$ k' @. ~$ j+ q铝的刻蚀：
5 v6 @+ K, M- V0 Y. k85%KOH 饱和溶液，用于刻蚀钝铝，擦抹2~10S) T# l4 A; H+ j( D$ X! F r% |
凯勒试剂，用于AL和铝合金的通用试剂（ 2.5ml HNO3，1.5mlHCL，1.0ml HF，9.5ml: l# j1 e, n) y* ~" a. L8 z
DI water）
8 I! K, a3 S- l1 I$ b' [. K5 ?9 c* _
铜的刻蚀：
* `! ?; B8 b& F7 d1 E; y10ml HN4OH， 20ml H2O2，Cu 及其合金的刻蚀，用于印刷电路板，擦抹几秒钟) ~/ A% Y7 S+ A/ c1 b2 K
; E" o$ t9 v+ U3 S/ \金的刻蚀：
. w) f6 |8 M/ a& B# I1~5G CrO3，100ml HCL，用于纯金及其合金，擦抹或浸渍60s
8 U8 `# b7 l X8 [) ^7 s+ n
' b* ?. R* m9 G. d锡的刻蚀：, Z, j+ ^* T% w- ?
2~10 ml HCL，90~98ml 乙醇，用于锡及其合金，擦抹几秒
8 M8 u, x3 p4 j7 m% ?2 o* F) w- y! a" L( O
硅的刻蚀：
q, \" y! ^8 s5 \$ @# S# \10ml HNO3，10ml 醋酸， 1mlHF，提供氧化物之间的纹理并勾画出参杂结，擦抹2~10s' V1 K9 ?. i. |2 z( W, a
. C) s6 V" a x" S1 |" X; y' b, J二氧化硅的刻蚀：
+ c1 _* Y- O9 L/ I- rNH4F:HF 7:1，氧化物腐蚀， 浸没几秒
& P2 L& H/ N O `' M$ E0 J
8 [, T- Q5 b' b2. 离子抛光（Ion milling）
$ S8 y+ z, I# `1 L- P' Q3 G把样品放入真空室内，特定气体离子被加速到高能态，与样品表面碰撞，电离的气体从样品中剥离出表面原子，从而达到抛光效果。样品中不同材料的剥离速率不同而产生反差，剥离速率取决于气体类型，碰撞角度。和化学抛光相比，离子抛光设备较贵，抛光时间较长。
2 i4 m; g" S9 U* e
! D: ?3 N y% K9 w0 O2 Z9 R. z |
|
/1 
发表于 2022-3-28 11:00
收藏
淘帖
支持！
反对！