程序容易跑飞得问题

风信子—yiyi

! X4 ~5 n! ~( Q0 U" O8 O2 {# v最近布了块板，里面有133M的SDRAM，CPU的频率400M左右。
1 }5 Q- u  G# C/ X板子一共做了三块，电源都正常，目前只有一块能用，另外两块能找到CPU，但是无法初始化SDRAM
就那唯一一块能用的，也老出现程序跑飞的问题。怀疑是否是SDRAM布线布得不好导致的。现在把我SDRAM部分的给大家看下，希望能为我分析分析，指出其中的缺点
+ D- x& U, H4 K% U7 ?* [6 A6 R板子是四层的，S-G-P-S划分，等长设计上，时钟线与控制线都在-/+100mil内，各组数据线分别在-/+50mil等长。
# x, h; H4 V1 L1 B- s0 {8 ]7 B6 H用hyperlynx仿真，数据线与控制线的延时相当，各组数据线几乎重合。过冲在0.3V内的样子

底层布线


, _" }3 |) ^" q3 G- \. n; q顶层布线

/ M  M0 K" a/ Y4 n" ]- P
底层和顶层

风信子—yiyi

CPU下面的排阻和几个小电阻都是地址线和控制线的，CPU左边的排阻是数据线的

jacklee_47pn

你用的 SDRAM 是 CPU 原廠認可的型號嗎? 雖然有些 SDRAM 看規格書似乎可以替換，可是實際卻不一定可行。另外有些cpu 在軟件 boot loader 裡面 是可以調整 SDRAM  時間參數，去符合不同的時間差。

! e# g3 ~# a5 `8 K! v8 u0 M* J如果不是LAYOUT問題，有時候可以試試看，在SDRAM CLK 放上<20PF 不同值的電容器(4.7PF, 6.8PF, 10PF,... 如果可以的話盡量靠近 CPU 端), 稍微延遲一下CLK，看看會不會改善情況。
  V! H$ y$ U7 V/ _! p! m
本人曾經遇過 INTEL CPU + ISSI SDRAM 是 OK 的 ，為了便宜更換成 ICSI SDRAM，結果在大量生產才發現有固定的不良率。有些 SRDAM 某些特性還會有溫飄(這才麻煩)。

3 X9 \6 c) L, s9 b, p- U" M) ?另外在手機上使用 MCP IC (NOR flash + LPSDRAM 或是 NAND flash + LPSDRAM  ) 更是麻煩，如果沒有原始碼，又沒有原廠的支援，根本不能隨意更換。(除了FALSH ID， SDRAM 參數也是一環)

风信子—yiyi

jacklee_47pn 发表于 2011-9-7 22:13
你用的 SDRAM 是 CPU 原廠認可的型號嗎? 雖然有些 SDRAM 看規格書似乎可以替換，可是實際卻不一定可行。另外 ...

恩，SDRAM是原厂认可的型号
我加了个10PF的电容，并且电容还串了个10欧姆的电阻限流，仿真情况波形很平滑，边缘率确实变缓，可是上电后程序立马就飞掉了。。。

jacklee_47pn

如果不加10歐姆, 程序還會飛掉嗎?

willyeing

133m sdram不用做等长串电阻都应该跑的很好，是否时序问题，看看数据眼图和时钟的抖动吧。

caiyongsheng

133M，根本就不用做等长，楼主拿掉一颗，软件修改一下试试看。

qiangqssong

楼主的这个SDRAM程序跑飞是指的什么意思？？不太理解

caiyongsheng

qiangqssong 发表于 2011-9-8 17:55
4 }' C) b" M* }: K楼主的这个SDRAM程序跑飞是指的什么意思？？不太理解

对呀，如何判定程序是不是跑飞了，有什么症状吗？或者怎么测出来的。

风信子—yiyi

caiyongsheng 发表于 2011-9-9 09:39
1 P- R: @* C) @对呀，如何判定程序是不是跑飞了，有什么症状吗？或者怎么测出来的。

7 B' Y( m+ J  \9 j$ n5 d: W( i+ B就是一开始工作正常，工作一段时间就不运行了，重上电后又正常工作

风信子—yiyi

jacklee_47pn 发表于 2011-9-8 12:04
如果不加10歐姆, 程序還會飛掉嗎?

- T5 N9 C2 G$ o5 j我没试，但是我都去掉后，板子已经不能正常启动了，程序几乎才开始就出现乱码

jacklee_47pn

想必你是將 10PF 和 10 歐姆解焊後就去跑程序，但是我不知道你的 R 和 C 是放哪邊，如果真是解焊後馬上跑程序會造成程序飛掉，如果稍微放一下時間之後就 OK ，想必會跟溫度有點關係。
# J# c* k& S8 Y+ q+ M$ f0 u
以之前經驗，盡量試試看是不是真的跟溫度有關係，利用一般吹吹頭髮的吹風機，或是 SMD 拆銲設備的熱吹風機，將局部加熱逐一加熱 (例如CPU, SDRAM, PMIC, ......)，看看是不是真的會讓程序亂掉(溫度控制在120度以下)。有時候也會用冷凍劑試試看會不會溫飄。這是通常是在RD端初期的驗證，(還沒到產品的品質檢驗)，先可以檢查電路是不是有問題。如果有些原件特別對溫度敏感，也是會造成問題。

如果你的產品可以接上 JTAG ICE，建議可以先在上面直接對 IO interface 做測試(例如SDRAM 讀/寫測式，看看是不是正常)，這樣會比較好找出問題。
, `4 H; m: R! B- H
另外我不知道你的產品是什麼，相信其來源也是授權的，所以應該也是可以問問原廠 FAE ，請求幫忙協助，這樣會比較快。
; x7 _/ ^: l3 v, a0 C1 @% N0 {: t

caiyongsheng

风信子—yiyi 发表于 2011-9-9 18:34
0 P1 D; k; g& _' W就是一开始工作正常，工作一段时间就不运行了，重上电后又正常工作

% G" F6 k1 e: W2 k2 d我之前也遇到过这种情况,没找到原因,跑的linux系统,串口打印出来的信息,前面跑的还正常,后面就挂了,也不知道是哪里贴错元件了,还是焊接不良,后面重新搞了板子,什么都没动,就好了.

风信子—yiyi

willyeing 发表于 2011-9-8 14:43
' i2 N! [& C9 i2 X133m sdram不用做等长串电阻都应该跑的很好，是否时序问题，看看数据眼图和时钟的抖动吧。

如果不等长也行那是不是不该是硬件的问题而是软件的问题？
不串电阻的话我仿真发现过冲非常大，有5V以上呢，那样估计对器件的寿命影响会很大吧？

willyeing

风信子—yiyi 发表于 2011-9-20 21:48
如果不等长也行那是不是不该是硬件的问题而是软件的问题？
不串电阻的话我仿真发现过冲非常大，有5V以上 ...

不等长不串阻尽量靠近主芯片，数据组优先考虑让线长最短，其它组要好些因为单向频率为时钟的一半，一般的话单片sdram我仿真过数据组应该在 1.2inch以内，其它1.5inch，dqs与clk之间不要想差半周期的1/20.这里大概是1inch多的距离。至于过冲只要符合能量不要超过就可以了，峰值超过datasheet规定的瞬时能量值太多当然不行。如果不超过不会影响寿命的。大厂datasheet做的很保守的。1.5inch之内过冲不会太大应该4v多一点吧。还跟你得驱动沿有关越陡峭过冲越大。