程序容易跑飞得问题

风信子—yiyi

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最近布了块板，里面有133M的SDRAM，CPU的频率400M左右。
7 I5 Y& P* }2 V: _1 P' t' k板子一共做了三块，电源都正常，目前只有一块能用，另外两块能找到CPU，但是无法初始化SDRAM
就那唯一一块能用的，也老出现程序跑飞的问题。怀疑是否是SDRAM布线布得不好导致的。现在把我SDRAM部分的给大家看下，希望能为我分析分析，指出其中的缺点
板子是四层的，S-G-P-S划分，等长设计上，时钟线与控制线都在-/+100mil内，各组数据线分别在-/+50mil等长。
4 i& p1 V) X) a1 B4 ]用hyperlynx仿真，数据线与控制线的延时相当，各组数据线几乎重合。过冲在0.3V内的样子
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底层布线
* i/ D; s6 v+ T- u
8 x' a. R- u- U2 k* r; K
顶层布线


底层和顶层

风信子—yiyi

CPU下面的排阻和几个小电阻都是地址线和控制线的，CPU左边的排阻是数据线的

jacklee_47pn

你用的 SDRAM 是 CPU 原廠認可的型號嗎? 雖然有些 SDRAM 看規格書似乎可以替換，可是實際卻不一定可行。另外有些cpu 在軟件 boot loader 裡面 是可以調整 SDRAM  時間參數，去符合不同的時間差。

) H: A3 s! j$ `如果不是LAYOUT問題，有時候可以試試看，在SDRAM CLK 放上<20PF 不同值的電容器(4.7PF, 6.8PF, 10PF,... 如果可以的話盡量靠近 CPU 端), 稍微延遲一下CLK，看看會不會改善情況。
' t/ I8 e- F: d
! t: [* C# O) e5 m本人曾經遇過 INTEL CPU + ISSI SDRAM 是 OK 的 ，為了便宜更換成 ICSI SDRAM，結果在大量生產才發現有固定的不良率。有些 SRDAM 某些特性還會有溫飄(這才麻煩)。

另外在手機上使用 MCP IC (NOR flash + LPSDRAM 或是 NAND flash + LPSDRAM  ) 更是麻煩，如果沒有原始碼，又沒有原廠的支援，根本不能隨意更換。(除了FALSH ID， SDRAM 參數也是一環)
" [; \. F1 m( ]9 O' T7 C2 r
6 C9 G) T7 ]$ o9 G& b: l

风信子—yiyi

jacklee_47pn 发表于 2011-9-7 22:13
你用的 SDRAM 是 CPU 原廠認可的型號嗎? 雖然有些 SDRAM 看規格書似乎可以替換，可是實際卻不一定可行。另外 ...

恩，SDRAM是原厂认可的型号
我加了个10PF的电容，并且电容还串了个10欧姆的电阻限流，仿真情况波形很平滑，边缘率确实变缓，可是上电后程序立马就飞掉了。。。

jacklee_47pn

如果不加10歐姆, 程序還會飛掉嗎?

willyeing

133m sdram不用做等长串电阻都应该跑的很好，是否时序问题，看看数据眼图和时钟的抖动吧。

caiyongsheng

133M，根本就不用做等长，楼主拿掉一颗，软件修改一下试试看。

qiangqssong

楼主的这个SDRAM程序跑飞是指的什么意思？？不太理解

caiyongsheng

qiangqssong 发表于 2011-9-8 17:55
楼主的这个SDRAM程序跑飞是指的什么意思？？不太理解

对呀，如何判定程序是不是跑飞了，有什么症状吗？或者怎么测出来的。

风信子—yiyi

caiyongsheng 发表于 2011-9-9 09:39
对呀，如何判定程序是不是跑飞了，有什么症状吗？或者怎么测出来的。

就是一开始工作正常，工作一段时间就不运行了，重上电后又正常工作

风信子—yiyi

jacklee_47pn 发表于 2011-9-8 12:04
) ]( F1 Z6 W) C3 W如果不加10歐姆, 程序還會飛掉嗎?

我没试，但是我都去掉后，板子已经不能正常启动了，程序几乎才开始就出现乱码

jacklee_47pn

想必你是將 10PF 和 10 歐姆解焊後就去跑程序，但是我不知道你的 R 和 C 是放哪邊，如果真是解焊後馬上跑程序會造成程序飛掉，如果稍微放一下時間之後就 OK ，想必會跟溫度有點關係。
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以之前經驗，盡量試試看是不是真的跟溫度有關係，利用一般吹吹頭髮的吹風機，或是 SMD 拆銲設備的熱吹風機，將局部加熱逐一加熱 (例如CPU, SDRAM, PMIC, ......)，看看是不是真的會讓程序亂掉(溫度控制在120度以下)。有時候也會用冷凍劑試試看會不會溫飄。這是通常是在RD端初期的驗證，(還沒到產品的品質檢驗)，先可以檢查電路是不是有問題。如果有些原件特別對溫度敏感，也是會造成問題。

( O* K2 O! U+ k6 `9 L: a; O* U如果你的產品可以接上 JTAG ICE，建議可以先在上面直接對 IO interface 做測試(例如SDRAM 讀/寫測式，看看是不是正常)，這樣會比較好找出問題。
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2 ?+ N. `& t# A0 t  J, a9 C另外我不知道你的產品是什麼，相信其來源也是授權的，所以應該也是可以問問原廠 FAE ，請求幫忙協助，這樣會比較快。

caiyongsheng

风信子—yiyi 发表于 2011-9-9 18:34
就是一开始工作正常，工作一段时间就不运行了，重上电后又正常工作

我之前也遇到过这种情况,没找到原因,跑的linux系统,串口打印出来的信息,前面跑的还正常,后面就挂了,也不知道是哪里贴错元件了,还是焊接不良,后面重新搞了板子,什么都没动,就好了.

风信子—yiyi

willyeing 发表于 2011-9-8 14:43
133m sdram不用做等长串电阻都应该跑的很好，是否时序问题，看看数据眼图和时钟的抖动吧。

如果不等长也行那是不是不该是硬件的问题而是软件的问题？
不串电阻的话我仿真发现过冲非常大，有5V以上呢，那样估计对器件的寿命影响会很大吧？

willyeing

风信子—yiyi 发表于 2011-9-20 21:48
如果不等长也行那是不是不该是硬件的问题而是软件的问题？
不串电阻的话我仿真发现过冲非常大，有5V以上 ...

不等长不串阻尽量靠近主芯片，数据组优先考虑让线长最短，其它组要好些因为单向频率为时钟的一半，一般的话单片sdram我仿真过数据组应该在 1.2inch以内，其它1.5inch，dqs与clk之间不要想差半周期的1/20.这里大概是1inch多的距离。至于过冲只要符合能量不要超过就可以了，峰值超过datasheet规定的瞬时能量值太多当然不行。如果不超过不会影响寿命的。大厂datasheet做的很保守的。1.5inch之内过冲不会太大应该4v多一点吧。还跟你得驱动沿有关越陡峭过冲越大。