EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析
9 v/ {7 n$ U: Z' t, h5 h' p" q在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。- }& B0 P' p1 r. X" j
% ]5 z/ R2 o; ~图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图; H/ A6 E( {- N6 v+ i6 c
图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:! Y! {' V2 S* k; }
4 {. l, y5 Y+ }6 W- b* C, t# W
图2、QFN封装PCB设计TOP层走线. ^3 w" R+ E+ q
差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.
! e5 O. R" r/ h% E* `图3、PCB差分走线间距与叠层- T& b f7 w: @$ N0 F2 |% a0 N
从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。% V% d0 w% j8 P# J; H' B
图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
+ k) s2 S, ], H- r- f1 b. Z. [2 m' j
图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果5 D X/ D/ `3 ^
从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。8 u4 e) Z1 J* f0 I2 c6 ~7 i0 a4 g
三、优化方案分析
! o3 r! [2 i0 P' F对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。3 O: Z, C4 J' g6 X) `' F* j
图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:2 ~- T" G, Y7 c7 i" s
- b7 O( a, {3 j图5、紧耦合差分布线图
$ a- ~8 E X' @/ H! J2 K2 f& l7 _图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:) s9 ^5 s5 N: r4 V0 Z d, K( C
. f+ p, K% L, A. N. k+ w3 D4 i$ h图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果
$ c& P) Z+ m8 T: Q' o从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。) D1 `0 D: }& Q& z
& j v( R, \9 {. P( v) v4 [ |