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1、 微分析法 U6 [2 v2 \$ H$ g: f3 D$ `) d& ^- b
(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及
% Q$ Y6 d; z8 Y- k2 e$ q其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进 " ^$ h; y4 U( G4 z: m- q' W6 ^
行观察;
. Q; z9 Z) F8 Y0 D(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信 1 I& o. _& {, B, u, P6 d& Q
息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在 % H; j* h9 N) `/ t# @, W
作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率; 2 Q9 W3 X- G8 C: b- o3 N
(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对 $ n0 v1 b5 W0 e9 {; X: W
其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。) H* C# J* T3 [" P% I
2、 光学显微镜分析法
5 w! y( h0 j1 ^" Z1 x进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两
! M% ^$ y4 l( i: W; B8 W4 v7 E者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
9 _8 `! ]& C: p: S$ U, J构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
3 l g6 v7 W* b. q" H; [具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适
/ R% R7 Z! h% D应各种电子元器件失效分析的需要。 : w" s$ `' p- G; o. p
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附件:
典型电子元器件失效分析方法.pdf
(86.49 KB, 下载次数: 2)
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