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典型电子元器件失效分析方法

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发表于 2021-10-18 11:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、 微分析法   U6 [2 v2 \$ H$ g: f3 D$ `) d& ^- b
(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及
% Q$ Y6 d; z8 Y- k2 e$ q其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进 " ^$ h; y4 U( G4 z: m- q' W6 ^
行观察;
. Q; z9 Z) F8 Y0 D(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信 1 I& o. _& {, B, u, P6 d& Q
息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在 % H; j* h9 N) `/ t# @, W
作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率; 2 Q9 W3 X- G8 C: b- o3 N
(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对 $ n0 v1 b5 W0 e9 {; X: W
其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。) H* C# J* T3 [" P% I
2、 光学显微镜分析法
5 w! y( h0 j1 ^" Z1 x进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两
! M% ^$ y4 l( i: W; B8 W4 v7 E者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
9 _8 `! ]& C: p: S$ U, J构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
3 l  g6 v7 W* b. q" H; [具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适
/ R% R7 Z! h% D应各种电子元器件失效分析的需要。 : w" s$ `' p- G; o. p

4 a- t% f$ ^8 M! d5 S1 x8 A2 Y
- H' R* o, X- J: r+ @# f
4 H6 U  Y- v: b  W% \& U- n8 U: J- [" k7 F) d* I# O
+ T; R. Z  v* h# D
附件: 典型电子元器件失效分析方法.pdf (86.49 KB, 下载次数: 2)
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0 i! l7 V1 X" E$ r* T2 x3 n/ l
* u9 l1 o0 N5 J4 G, }* v! U( c3 v0 Z8 X0 j5 c7 x
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    [LV.10]以坛为家III

    2#
    发表于 2021-10-18 11:38 | 只看该作者
    这个资料很稀饭,很有参研价值,值得学习和研究,学习下

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-10-18 15:52 | 只看该作者
    声学显微镜分析法
    4 Z+ d7 w% f3 [% D- X这个方法也用的多2 o, h; {" a: A; y
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