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- Q+ \7 A5 D0 L1 V. O0 {6 k4 W
1 v* p0 g8 C) q4 J$ N失效定义' f7 c a$ D3 c
1特性剧烈或缓慢变化
, M. Q& e8 p" v: G6 i2不能正常工作
3 W v8 O2 `) b7 b1 T. @1 m. _3不能自愈失效种类, C6 X3 ^/ ?: Z
1致命性失效:如过电应力损伤2缓慢退化:如MESFET的IDSS下降
. c" T( D, w4 L- h& [6 o+ L' ]+ ^3间歇失效:如塑封器件随温度变化间歇失效
5 s/ q; Q: l7 v, _& d6 }# Z: f4 n! ?% D+ S
4 X2 c! g5 b8 H) L: }: `
5 {. z* p5 P1 P5 X/ i$ Y. k- P& _- W% |- A. G. V( h5 l* t- e
% ?: j: N! y. g7 ?! ^; A! Z附件：
IC电子元器件失效分析.zip
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发表于 2021-10-12 11:09
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