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芯片IC失效分析测试

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  • TA的每日心情

    2019-11-19 15:32
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2021-9-1 10:14 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    6 `, A  Z  T& R3 o2 ~( m3 iIC集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。华碧实验室整理资料分享芯片IC失效分析测试。
    ( x6 |5 f/ |( t5 [. {/ @
    6 @/ V8 k* u% E5 A2 e / I" ]: m" C4 P: Z' s5 d

    ( y: c# W7 n' ?! J% L+ N' pIC失效分析的意义主要表现具体来说,以下几个方面:
    9 o( i* ]& ~/ S0 H
    / _1 B7 ]/ s$ M! m. o  f1. 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。; ~# b- J5 U9 `

    ! @6 x+ z4 R/ j/ B8 r2. 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。
    $ H0 H1 T& F& @/ @) f
    6 b. @5 j8 i. i, H2 U1 d; p3. 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。  v. S7 L% N$ N

    ; E! F' }" a$ a' c8 d4. 失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。
    " j5 k6 g5 g. t* [# l
    % B, g- \5 H4 F7 d* x失效分析主要步骤和内容
    : y. j5 A5 g! v+ [/ a2 ~$ _& ^5 |
    4 {9 Q4 k* b, RIC开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。
    3 ?( y9 A& y. n4 |: X8 z  b: W6 x) ?! X' w) V
    SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。
    5 y9 n6 |2 i( {
    ) G2 E2 F( [4 d7 G1 t/ b; W# l探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。" ], R( o0 r4 m

    & }5 ]* k  g* O/ A; ]% F4 Q( BEMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。1 {4 S: Q; Y; b2 I, Q
    0 X6 i7 J: V& |$ `# ^
    OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电是发光显微技术的有力补充。
    $ l3 ~0 s0 |4 L9 H+ y" n/ C( e: K5 S8 p/ K# ~3 b+ I
    LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。  z* d& x2 `; t0 Q# a; _

    4 I) Y( v9 N' u. X) l, l定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。
    - r- N( f) P2 U, V  s
    2 f, Y* p3 s! i8 l7 ^7 BX-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。0 S0 O& ^8 Z% v5 p1 @" k8 `
    8 M5 l+ {- s! ]) M6 h& p, _
    SAM (SAT)超声波探伤可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:1、晶元面脱层2、锡球、晶元或填胶中的裂缝3、封装材料内部的气孔4、各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。0 M8 O8 C$ L1 Z* O: v$ j% e

    4 r- M; t4 ~" S5 G5 _7 I2 E* Z/ p8 P1 @& Z% }

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    2#
    发表于 2021-9-1 13:25 | 只看该作者
    随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-9-1 13:31 | 只看该作者
    IC失效分析的意义

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2021-9-1 13:32 | 只看该作者
    失效分析主要步骤和内容
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-24 15:18
  • 签到天数: 1222 天

    [LV.10]以坛为家III

    5#
    发表于 2021-9-10 15:15 | 只看该作者
    写的真是不错,分析的很是到位,很有深度和内涵,学习下
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