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浅析混合集成电路的失效

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    2020-8-28 15:16
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    发表于 2021-4-30 11:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    ; D! j# B2 S  j9 Y+ S% E& H2 N  A
    混合集成电路工艺:
    5 ?1 r8 j# R  c, R' k& \  k, W" b: U4 Q( h" z4 g
    / B$ @; D5 K  z5 O  O* D2 C" Y
    IC 工艺:氧化、扩散、镀膜、光刻等" X( o  o( C1 M" Y
    & s0 }. d/ I+ c6 Y$ T, q
    4 K6 N. d6 Z* t* R
    厚膜工艺:基板加工、制版、丝网印刷、烧结、激光调阻、分离元器件组装等
    . Q: c4 i4 T0 }  r/ \6 I
    & u  E3 A0 y! k' f9 U) }; J" r9 z! |7 S4 n# P$ R& V
    薄膜工艺:基板加工、制版、薄膜制备、光刻、电镀等9 L1 d8 Z( e( M# ~; B& x1 P# ?

    ) `/ F0 P* V5 _% x/ H5 J9 J8 v. `9 j. Q! \* O, t% S7 ^
    失效原因:; C% s  u- U- y: D, P' M' m' S; i. W

    " u# B4 j) L; B" J
    - u0 [% q, k) E元器件失效:31%
    % n; u9 z" W1 ?/ K9 r" c: e" l1 L. x/ T7 Q/ J, I  S+ k: Q" A

    ! ^6 M! z0 e! p9 L4 H: Q- {互连失效:23%,引线键合失效、芯片粘结不良等5 u1 f& b* l) j0 G. L1 s2 F
    & P+ r$ r& f2 Q% J, v9 L. e9 ?! U
    . `0 G" N3 \( U& L; T* Q  }" t, E
    沾污失效:21%
    # F& t9 U$ h- c# G+ a+ w  H8 v: {8 ]% y# L9 Y" |: U5 U5 `
    : D4 q0 V9 t7 c( }: u* D. \
    关于混合集成电路:
    % t8 V8 Z* t# q3 g' h: P
    & D0 D$ {1 I# q5 T
    5 Q0 g. l0 c: N6 I& V按制作工艺,可将集成电路分为:( P6 h1 H( j3 Y; _
    7 o9 }: q0 x3 W: B" \9 n& A% l+ D
    7 W* b7 R6 {5 h" h9 }4 y
    (1)半导体集成电路(基片:半导体)
    9 I* ]9 g2 c, ^
    + }; _8 {, x; A8 F" V' ]# B; Q, \+ |- h; V; m3 {$ @
    即:单片集成电路(固体电路)
    , ?$ l8 W: Q4 \% F( t6 h, _$ D. E. b3 f4 B# L
    8 [3 s( S7 i/ O* ~
    工艺:半导体工艺(扩散、氧化、外延等)+ n9 ]* Z3 T+ s3 K8 @, z" ]

    . q. Y# Y, H7 S0 \' T# ?" x# O8 D: q, l0 @7 o
    (2)膜集成电路(基片:玻璃、陶瓷等绝缘体)4 f+ a$ e1 g/ @7 w2 v" C1 b& G5 o' X& {4 Y

    9 K" ?/ p% `' N) \9 w" b/ d/ x- F! I' F
    工艺:
    % p; I( V& S, r0 _+ y0 R
    % ]$ d) |# C& r* N: z$ u8 S$ V0 u9 j* ~& W2 f
    薄膜集成电路——真空蒸镀、溅射、化学气相沉积技术
    9 A+ o- V+ Q% u0 a
    " c+ d: p; F1 ?' E
    3 o1 d, |4 ~4 h0 B& W厚膜集成电路——浆料喷涂在基片上、经烧结而成(丝网印刷技术)7 y  d5 m# `: {+ b

      `. C: x1 z, D+ g/ x

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2021-4-30 13:19 | 只看该作者
    混合集成电路工艺呀
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