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工程师必知的那些元器件失效机理

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    2020-9-2 15:06
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-2-1 10:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 QqWw11 于 2021-2-1 10:40 编辑
    - m6 K. K+ ~$ m" x: B1 D
    ! ?: B2 C$ ?/ j5 V' g+ }' U; Y元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。
    / C0 Q. u) j) \* O: q4 i
    ' {" |' M8 C* w( a' o! J0 [温度导致失效2 w4 m- n5 D. w7 v) t6 v
    环境温度是导致元件失效的重要因素。
    % [: e: p. ^3 D; P. U  x0 {! H' Z& P2 a* f7 H$ ^
    温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:
    5 {6 j  g& q4 K, I% @  J
    " m+ m* ]& N3 W$ ]; {$ X
    式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流
    2 \4 A6 A0 y& V- {- n        ICQR――温度TR℃时的反向漏电流) R5 ]" i& h& `; k: B
            T-TR――温度变化的绝对值
      ?( d# c6 O* `
    1 `/ b  Z; L1 N7 f1 Y: H由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。4 x4 f4 A8 i5 O5 G& C* t
    / S7 G2 N0 M+ d% g
    温度与允许功耗的关系如下:! O" v) j( x0 s
    1 L4 L2 A# n2 `1 P

    & r- e* x- ^: `+ ~式中:PCM―――最大允许功耗; j* c# R( D) a4 N" P( {
               TjM―――最高允许结温
    % ]! ]7 q8 A3 Q+ ]' p+ @           T――――使用环境温度+ {$ N" w7 `. f& s, W2 ?, l
               RT―――热阻% T1 ~1 m4 A( z% ~5 i- g# K
    # G9 s  [! ~0 o9 R
    由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。8 @3 G1 f! S9 `; `

    8 t" W' a" y; u! y4 h! j6 Y( u由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。; p3 g( F4 j! o6 z6 t; `. H
    ( ^4 @6 C4 i3 Q9 b0 t1 \
    & u' T4 P; Y4 ]% P8 F7 d' o& L
    * {8 Y2 O( J$ S0 \: T* o: v
    温度变化对电阻的影响
    3 v0 O: N9 c; `, F' \! @温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。
    # m9 s6 L6 V' z* W  ^$ D1 P, ]  W4 [! a( u6 {8 @
    但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。
    ) W5 b) P) N' ]" d; }/ j: @. o- g& g4 o" |: I& ?5 V
    对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。% O0 `; P1 l$ u

    3 K5 u7 v" g1 W; s对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。7 p" k4 _+ F1 j- R; S. J

    / \4 q) C5 Q- k% ^
    0 c1 ?$ j, t% P' H/ i( @5 {! a" B8 h
    温度变化对电容的影响' ]0 Q! N3 q- L* ^0 S* d
    温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
    ; ]: Q7 n" m8 M4 I3 |5 i3 U+ J& ~& K9 h* W6 m, G1 v- ~
    此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
    0 l0 p$ A) o9 I; ?) |
    ) b  H2 ^' V6 m% H$ V1 N% H3 Y8 V! X0 v7 J
    & u+ _* _2 f8 E5 {& w
    湿度导致失效
    5 U5 V+ Y% M: [/ s3 ~7 w湿度过高,当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时,将腐蚀元器件的焊点与接线处,造成焊点脱落,接头断裂。
    ' C$ M4 @  @: y( E& `' D. ?% Z) X7 F4 n
    湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。  ~1 ^4 X. N3 g5 i0 r

    8 d8 Q' }+ h9 Y6 W: f. x* U2 {而湿度过低又容易产生静电,所以环境的湿度应控制在合理的水平。5 _4 m. x* u- O7 O
    4 H$ }' V( S' Z# m& v, K( U
    4 w) D) _& k$ K8 T' f3 H! k: W1 t, y

    2 I! h* ~. t* \  W8 _* p, y8 @% ~, R1 H8 o$ d& b
    过高电压导致器件失效
    5 U5 N% R/ G' W4 m3 ~  ?% g- Y施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗,甚至造成电击穿。对于电容器而言,其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言,超过其最大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。
    ' C: r8 g* `6 @: ^! Z- `, j# X1 B& x7 ?5 c' ^
    电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别,但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件有损伤,比如超过二极管、电容等,电压超过元件的耐压值会导致它们击穿,如果能量很大会导致热击穿,元件会报废。
    2 p4 T$ Y. |% q5 u) @! n: H5 l* p" F2 j# Q

    ( [: h! k4 l- S& e- ?6 U1 q9 h' D5 R+ m( M3 v9 ~" |8 z4 A4 _
    振动、冲击影响
    4 e, W- o$ L% b1 M, k) |机械振动与冲击会使一些内部有缺陷的元件加速失效,造成灾难性故障,机械振动还会使焊点、压线点发生松动,导致接触不良;若振动导致导线不应有的碰连,会产生一些意象不到的后果。
    $ W0 S9 D) V9 _. m2 ^3 U
    ; B2 b. e* r4 ^& |/ P可能引起的故障模式,及失效分析。: c7 x7 a  P5 L, d. S! _

    9 D5 {# Z2 b4 M* t  e  g* H电气过应力(Electrical Over Stress,EOS)是一种常见的损害电子器件的方式,是元器件常见的损坏原因,其表现方式是过压或者过流产生大量的热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件(大家常说的烧坏),是由电气系统中的脉冲导致的一种常见的损害电子器件的方式。
    ) n) W5 r$ ?+ A* B" w
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