倒装芯片的发展趋势

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目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下：
3 N4 x- K+ ?* L5 ~( L  [1. 凸点节距：
a. 减小凸点节距能够提高I/O密度；
4 f* S4 J) h4 a; Fb. 节距变化趋势：250um逐渐降低至75um，CP bump节距可以做到更低；
2. 焊锡凸点沉积方法： 蒸镀-->丝网印刷-->电镀；
; T7 W& K& [! O& r( W* R3. bump焊料组分：高铅-->共晶-->无铅（Sn-Ag）-->Cu柱节距<125um；
4. 封装组成： 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板；
5. 封装结构： 密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑
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3 W+ r7 C3 ]+ i# F    现在由于小节距阵列和无铅化要求，晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况，如ILD（电介质层）开裂，UBM分层，凸点开裂，或其他与应力有关的问题。解决此类问题，封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;
; n; x5 M) j$ U6 h  k8 l; h& |$ T0 K1. 顶层Cu或Al的厚度；
- A; I$ j+ A0 V2. 非ELK覆盖层数；
3. 通孔密度；
( ?9 u- ~2 D+ o3 q+ j0 J4 ~4. 硅一侧凸点焊盘开口；
5. 凸点UBM的直径和高度；
6. 在凸点结构下方添加钝化层，如聚酰亚胺（PI）或PBO；
9 T7 Y. n. b7 W6 M9 e  v2 q4 {; h7. UBM叠层，如厚度和材料；
6 B0 G( i, E9 M3 R8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口（SMO）；
9. UBM/SMO对比；
) v, R) k* n' b10. UBM应力；
11. 芯片/封装之比；
12.底部填充材料；如高Tg
13. 回流温度曲线，如缓慢冷却；
14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元；
15. 基板芯材及厚度；
16.基板热膨胀系数

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密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑