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1、BGA(ballgridarray)
! j0 n, J1 ?1 L% k- @ 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
d) I2 ?) t: `; a, T, I( r 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。- R/ H8 ?$ @% l0 E1 B# r
该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。8 a, C* @+ v2 b3 d
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 , o% U% ]% s4 v9 m
$ ]/ \4 d, l: }$ f; S- j' H7 f
" r7 P, S: ]/ E- S+ s5 \
4 ~) D: M4 |" `, e. Q7 G 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)2 F! ]5 N/ w; d* w+ D( _* Y! c
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用* @9 R# M9 W$ F. c+ W' V* k& I: _5 Q
此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
$ ]8 t; E0 H% U* K 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)! Q d7 \1 [ d# s9 B
表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。9 i* X' [5 t8 o0 h) z2 m
4、C－(ceramic)7 A* {% X' q3 C. f( d; R
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。( @. z( A {5 W
5、Cerdip
6 B, N0 D' K. o Z( f0 W' s' d 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
1 Y9 n A4 k% Z i1 o 6、Cerquad
/ V5 N4 h' h) s& b3 G 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。7 `! L8 ?4 g# C* y/ x
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
, N: Y' O: ]' ]8 s; f 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
" e) j8 V8 `4 \9 O' A# w 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
) N! t' H2 m* M: [' C |7 V" b8 ` 8、COB(chiponboard)
5 L4 d( e; Q8 d; [% M: I 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。5 I3 D! j' Y$ p/ U
9、DFP(dualflatpackage)
0 [3 _3 ^ k1 u0 P( q P: ~2 U 双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
7 @( f: C6 X8 m* O7 S' ]/ p8 C4 N 10、DIC(dualin-lineceramicpackage)$ f$ f; u9 B v
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
2 }9 A0 R, K% S1 [1 ] 11、DIL(dualin-line)! w2 h8 n. C" t1 N3 o% W
DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
0 a1 i" m# l; \ 12、DIP(dualin-linepackage)
$ R& C- E- f' L1 C 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。
. F( ?4 G$ S) w" u$ J 13、DSO(dualsmallout-lint)
, c7 T& ?+ J, @; e 双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。: L7 a* C: o# \7 b0 F$ n
14、DICP(dualtapecarrierpackage)( f# y/ H+ C& S( X8 h+ t1 J
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
; A' a; T( Z* v# |- ]( v 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
3 [7 X; L* w6 _$ z4 v 15、DIP(dualtapecarrierpackage)8 u$ u/ |+ Z! y9 r! @. A+ d
同上。1 ^) Y9 `; @9 d; d @' M
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
$ U! F6 ?- k1 Y/ R% G 16、FP(flatpackage)' `9 ^2 [2 L( D7 q6 a+ \
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。; K+ f3 }; P9 X
17、flip-chip
+ n; V) V V: [2 x4 q" A9 v 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。6 c9 s* E8 Y! |2 \/ i# V
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)7 ` l; C& x, t7 d& s
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。' j1 c6 q( E" k( C' u+ ~
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
/ J5 u6 U- J8 J/ }0 W+ u 美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。! o- }2 ~% l# q$ q, m N
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)9 p: e$ G9 Y9 \
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
6 X: k; @3 ~- T7 C! {0 c* \( O 在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。9 T! X" n* C5 R* R2 v# D' L) c F
21、H-(withheatsink)
# w( d* O" C; M9 R: t 表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。" O+ j# B6 g( W
22、pingridarray(suRFacemounttype)9 I. i$ o! Q; ?7 T/ ~" o
表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。. _& b9 D' x3 e7 P
23、JLCC(J-leadedchipcarrier)( u! R" o' p) X+ @2 n6 ~
J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
, G- C, r- m! ]6 Y$ H 24、LCC(Leadlesschipcarrier)# M- W7 q& @' v) j
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
, U$ U1 t2 p4 l; }, V B0 f' C- g 25、LGA(landgridarray)
7 K4 S" R2 E2 c# t$ q" T 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑# _. l m$ }8 D. W; I
LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。$ L& M. O! H9 s( N* d
26、LOC(leadonchip)+ q+ X& \* w8 J; N, N8 R' S: c+ `: ^
芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。# d9 }6 a1 [1 ~( u5 ]; @
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)' c2 z' ^$ s0 Z- `3 g3 N- z
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
/ e" K' |; F& m( a# [' H 28、L－QUAD
6 |/ P6 k/ o/ q2 J7 [ 陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
" C0 f' S3 b4 s$ h5 l. A! \ 29、MCM(multi-chipmodule)0 L* u" O2 J: _. U
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
) l- V0 K$ f- r: B1 [0 C( G0 c. w MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。0 ?# L9 Q8 |+ L4 N* ^
MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使9 s0 d2 Z. z1 r/ K
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。3 }1 V3 L& z2 q, \8 @
MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
* i# o9 n# N* R5 n 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
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发表于 2020-7-1 10:52
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