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新手3SC6410 DDR等长绕线!请大家指教!

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1#
发表于 2010-7-14 16:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新手3SC6410 DDR等长绕线!请大家指教!" |8 n/ }, \- N3 M5 N
1:CLK线差分线长51mm。' N% J- |, j# U9 D3 h* m3 O% J( c
2:地址控制信号等长50mm。9 G, e1 p" |2 F& _* R
3:数据线等长41mm。, Y# J( a0 f" c- J

1 G3 ]" l2 T. i1 ^( r* _问题:
: `/ P- d1 u+ \; _- A5 m7 G$ q1:这种叠层方式会不会有问题?3 C! B7 ~8 G, r4 I/ {
2:走线的线宽线距是否有问题?
0 T4 \0 l& I" n8 i3:线阻抗未充分考虑,只考虑等长是否可以?: H( t; t; Z% N9 e- I
4:有无其他可以改进的!; \0 N! r# U0 ^
非常感谢大家!% l) o- {. s( K# ?

( T  j0 z8 A3 I% e2 q. p0 ^7 k: @ temp.rar (330.33 KB, 下载次数: 382) 8 Z. J% n0 ^  O" ~

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2#
发表于 2010-7-15 07:55 | 只看该作者
关注中,等高手解答。发现一个问题是你BGA内打的孔内径为0.1mm,工厂工艺应该达不到。

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3#
 楼主| 发表于 2010-7-15 09:16 | 只看该作者
1-4-1的盲埋孔,0.1mm的为镭射孔!
7 [+ R3 S  ^2 {7 R3 J# o7 i" X0 E7 v( l* f% D" k8 f  P
0.2的孔走不出来!

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4#
发表于 2010-7-15 09:28 | 只看该作者
层设置有问题

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5#
 楼主| 发表于 2010-7-15 09:53 | 只看该作者
楼上的有何问题?谢谢!

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6#
发表于 2010-7-15 21:20 | 只看该作者
top-gnd-si-si-vcc-bottom/ r1 O  c. {4 Z, ?$ r- H
你的设置top-si-gnd-vcc-si-bottom' `; U) M. Y( @4 v2 N: k. i
顶层和底层没参考平面

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7#
 楼主| 发表于 2010-7-15 21:35 | 只看该作者
由于使用盲埋孔,1-4-1的工艺比较容易做到,所以使用 SSGVSS的叠层!- Q5 r$ z; g- ~% |% x
顶层也参考G层!走线尽量第一层和第二层不重叠!

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8#
 楼主| 发表于 2010-7-15 21:37 | 只看该作者
由于使用盲埋孔,1-4-1的工艺比较容易做到,所以使用 SSGVSS的叠层!
. i1 ~8 [0 d5 c6 {$ J顶层也参考G层!走线尽量第一层和第二层不重叠!

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9#
发表于 2010-7-16 15:06 | 只看该作者
个人觉得,阻抗最好用对称的层,二,你两边内存的过孔数不一样

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10#
发表于 2010-7-16 15:47 | 只看该作者
LZ的叠层方式需要改进,不然阻抗不好控制。因为要使用盲埋孔而使用这种叠层方式,有点避重就轻。如果6层线实在走不出来,可以考虑增加层数。这样成本应该不见得比用盲埋孔高吧。另外对BGA而言,最好每一个PIN都扇出一个过孔,这样性能应该会好些。

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11#
发表于 2011-3-12 18:07 | 只看该作者
你的地址线要保证比你的始终线长1000MIL
$ w) V6 i* b% h( ?0 L

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12#
发表于 2011-3-13 09:23 | 只看该作者
请问版主此板子可以正常跑起来吗?2 z: i+ n$ V8 {# A

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13#
发表于 2011-3-13 17:10 | 只看该作者
DDR的阻抗只是因为驱动能力较弱造成的,负载阻抗太大可能会驱动不了,按单端50ohm做就ok了,没有特别严格的要求,像DDR3里面这个基本都不用考虑了,因为驱动能力已经到了120ohm。

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14#
 楼主| 发表于 2011-3-13 18:20 | 只看该作者
报告一下,可以正常跑!

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15#
发表于 2011-3-31 10:58 | 只看该作者
图片上看线宽线距小于4mil了
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