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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。
6 g l+ } m5 Z4 z
# W/ {+ Z j' MISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。
. T! }+ P$ r2 p: V9 t7 A& H3 `
5 M8 Q) b1 x3 \! a, ~: x9 d: L这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。; h: h5 S& I& O- W! W8 Y' A
9 r& |; S2 |2 C4 s当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。9 _6 i$ S8 f/ z2 V! \! x
, c# W& u1 N8 ]0 F$ a: F( k/ @1 T该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。
1 O" i. {' ~$ w2 P: s- c! r3 O* r8 b# c8 y) g, `3 G. D; t
5 G0 o8 r* l4 E& A' S1 Q+ k$ j
| IS61WV204816BLL (I) | IS64WV204816BLL (A3) | 注释 | 温度支持 | 工业
, p+ h6 v' d* O% e8 O8 m" u" T' k5 ?$ s(-40°C to +85°C) | 汽车
9 y( k4 t+ h* N$ \( ~0 U. J+ j(-40°C to +125°C) |
0 O0 Q2 }4 n Q$ I
| 技术 | 40nm | 40nm | 2 C2 w7 V0 E* {
| 电源电压 | 2.4V ~ 3.6V | 2.4V ~ 3.6V | / i& q- {: ^, Q- i U& f. n
| 工作电流（最大） | 100mA | 135mA | ' J) A9 Y9 m) ~+ e$ |
| 待机电流（Typ） | 10mA | 10mA |
$ c1 z3 s. k2 T7 r4 v; x
| 包装 | TSOP-I（48针）
" ]* N$ W$ m; n( `BGA（48球） | TSOP-I（48针）
! W5 c" s) \( @! W9 FBGA（48球） | 引脚兼容( U* U& X" b1 Q1 j# g& x
16Mb异步SRAM | 速度 | 10ns | 12ns |
1 q4 L% I( Q( P+ j$ ^% w
| 铜引线框 | 是 | 是 | . z! u( Z, F& N9 V! }9 K3 V, G
| 无铅PKG | 是 | 是 | 符合RoHS |
4 o9 k) e. Q8 @/ N
5 y$ G$ X; T; {' X% hSRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
" w2 L1 c% J8 Y6 G$ h) L 4 }% b3 ~2 `1 m
待机模式 e/ Z# @* h! \3 _# x
取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。, ^: M0 ~3 k. D& G0 I4 c
: T5 a5 p! U! I' y. w$ W写模式
3 g7 ]) }5 p- z) h4 p选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。/ U) ?6 e3 X, v4 y+ [
0 ?; b, H5 P: J7 a [" S# p+ D; P2 V. s读取模式; ` E6 t/ J Z
选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。& n( Z! h# n- p
7 W* w5 e( J+ ?' t' |$ r在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
% U! A9 p4 T2 z( E9 z8 ?( O8 |' D
9 M: R* l P6 b上电初始化2 |. C; H5 e3 q
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
4 w1 d2 p+ Z' P& U% w当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。
6 z C z* N* N1 L0 d& U初始化完成后，设备即可正常运行。( ^) Q# h6 p. c' W$ [
; k! S0 }; P1 X2 U0 n8 z; U7 ~
) ]5 u* F# f& X
规格书下载
) X1 S* l& S. ~9 C7 o1 ~, S6 c
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
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发表于 2020-5-27 14:28
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