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美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。8 l/ c' _# x- K) d* ?4 w }+ v5 z
% j: p( e: f+ D! e1 a; e+ Z功能说明8 H5 u. x/ M+ D* D Q) @0 B
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。2 y5 a5 C' o N5 \3 ]$ R" t
& O. ]) f- b3 s5 [: o7 ~
待机模式
; C! N% g- f7 b' B. W! q5 f1 i! p取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。8 |+ M. z2 y, \ W% L: i8 h$ m
! l( e$ P# B: D$ V: e; U/ Y写模式
4 W: n; Z) [. A选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。
& ]2 t, k6 S ~$ @8 M" g% G8 g9 c! ^
在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。. Q. t! y1 a; l3 w
' _) o% u2 @( k
读取模式
- {8 S4 R9 u& J/ y* f选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
( s- M2 x& Z( S" a' { ( s, } i* z! \ s/ H7 b2 j
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
. U, Y" h& `9 m: X. W6 L2 M - F5 x# y* E) n# w% a1 A8 R5 M
工作温度范围' e: }# c/ G( p; T$ o' d
商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V9 q: S; D* z* [1 M. N
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V, Y- ?* L2 V9 a2 H! j5 }+ `
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V
: J+ ], V/ F M* s" t4 f& h
' |* W$ V+ @$ g) X4 [ISSI 低功耗SRAM( p' i# Y9 c) f c
; y9 X6 { b( H0 ~! B2 d
62-65WV102416DALL-DBLL.pdf
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发表于 2020-5-26 14:43
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