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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。9 i2 F/ b1 I7 O! L" Z: P
开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。' G p. W7 r/ \- ?3 q c$ u( r5 N, c
失效分析基本概念" _: q; W* O3 f9 @/ {
定义:对失效电子元器件进行诊断过程。
# M/ z* L i5 \- B1 \; U" A 1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。# d, K1 |0 p9 A# I
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。( o! c9 d. a" }4 _! b5 ^7 e" |
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。7 ]% \1 }# N0 e: i$ C- G1 [
4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
$ M3 o+ p7 y" A/ o6 @% {8 x 失效分析的一般程序, ^9 X/ ~7 l, |6 Z9 m
1、收集现场场数据 ![]()
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2、电测并确定失效模式
" W( \, p" o( c& x5 K$ f 3、非破坏检查 4、打开封装
( f, v! f2 ^. O1 C" [: I 5、镜验
9 P1 ~8 V: a- u% v* e' o0 a 6、通电并进行失效定位
& r* x# L8 j" t7 x% K9 C2 y+ d: S 7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
# s3 Q1 {4 Q P" `. T+ l 8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。 h/ l8 j( z C Q+ F
1、收集现场数据:
. r3 D1 r7 p1 ^6 l 2、电测并确定失效模式& k' @2 g+ I& v o) V
电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。4 H5 M1 }2 p+ F w) ?
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
' y+ M. p0 {' \4 Y) t4 a( R 电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。1 |2 E9 p, D3 D/ H3 ?
确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。: `6 K1 Q) }' C& N4 M# ]& t
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
) J% b7 F2 e* \2 ? 3、非破坏检查 ![]()
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3 [8 W) F7 A) U: }# ~3 m$ _0 N/ o X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
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+ X! ~1 Y( ]. q0 t
适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout0 P( w$ j1 U- u
优势:工期短,直观易分析
4 b. ]5 G5 t& d! c 劣势:获得信息有限
! z3 d, ^; z$ j# g* N1 s 局限性: T0 h2 K, `2 J1 Q: F+ m
1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;5 ]: {' f9 G% x) I4 S: l
2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。3 m4 o r N' S. t
案例分析:
/ V- Z& b( K1 o+ P' K+ D4 a X-Ray 探伤----气泡、邦定线 ![]()
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X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒) ![]()
& B9 _8 Q8 ~$ @" l6 K M “徒有其表”
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下面这个才是货真价实的 ![]()
z( D" b; M1 ^ X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)
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& V* D s* V. U4 l! j9 c
X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析) ![]()
5 M. W+ @! p: w+ p3 r (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)
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4、打开封装
! K: t# Z( Z/ ^- ~0 J) l8 O9 @+ D 开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。 ![]()
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机械开封& I+ o3 ~- n+ \9 Z! g
化学开封" y; A$ `4 ?/ P% \$ V. S/ ?
5、显微形貌像技术4 ?% C5 @$ `5 s8 N8 [9 W6 o
光学显微镜分析技术
9 a! U) A6 I& w' I) ~' x% D& w8 e$ E6 d& @ 扫描电子显微镜的二次电子像技术$ ^/ K0 V1 X" w
电压效应的失效定位技术
9 M1 Z0 d1 F( c 6、半导体主要失效机理分析 ![]()
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电应力(EOD)损伤
7 T/ i( ~6 D7 K: ]6 r3 m 静电放电(ESD)损伤/ o8 ?4 d( @/ f: o8 E
封装失效% A) \) v. X4 c2 V5 g
引线键合失效5 l" v6 |# r) d
芯片粘接不良
5 m/ `! h0 l" _+ K+ K 金属半导体接触退化
$ k5 _3 G6 b& q9 m 钠离子沾污失效. C4 W* ]: g0 Z; S) P2 v: k/ @
氧化层针孔失效
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