找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 679|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

元器件失效分析方法

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2020-4-7 14:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x

器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。9 i2 F/ b1 I7 O! L" Z: P
  开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。' G  p. W7 r/ \- ?3 q  c$ u( r5 N, c
  失效分析基本概念" _: q; W* O3 f9 @/ {
  定义:对失效电子元器件进行诊断过程。
# M/ z* L  i5 \- B1 \; U" A  1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。# d, K1 |0 p9 A# I
  2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。( o! c9 d. a" }4 _! b5 ^7 e" |
  3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。7 ]% \1 }# N0 e: i$ C- G1 [
  4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
$ M3 o+ p7 y" A/ o6 @% {8 x  失效分析的一般程序, ^9 X/ ~7 l, |6 Z9 m
  1、收集现场场数据

3 T; c* Q( h1 ^3 R5 n
  2、电测并确定失效模式
" W( \, p" o( c& x5 K$ f  3、非破坏检查

       4、打开封装
( f, v! f2 ^. O1 C" [: I  5、镜验
9 P1 ~8 V: a- u% v* e' o0 a  6、通电并进行失效定位
& r* x# L8 j" t7 x% K9 C2 y+ d: S  7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
# s3 Q1 {4 Q  P" `. T+ l  8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。  h/ l8 j( z  C  Q+ F
  1、收集现场数据:
. r3 D1 r7 p1 ^6 l  2、电测并确定失效模式& k' @2 g+ I& v  o) V
  电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。4 H5 M1 }2 p+ F  w) ?
  连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
' y+ M. p0 {' \4 Y) t4 a( R  电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。1 |2 E9 p, D3 D/ H3 ?
  确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路: `6 K1 Q) }' C& N4 M# ]& t
  三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
) J% b7 F2 e* \2 ?  3、非破坏检查


3 [8 W) F7 A) U: }# ~3 m$ _0 N/ o  X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。

+ X! ~1 Y( ]. q0 t
  适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout0 P( w$ j1 U- u
  优势:工期短,直观易分析
4 b. ]5 G5 t& d! c  劣势:获得信息有限
! z3 d, ^; z$ j# g* N1 s  局限性:  T0 h2 K, `2 J1 Q: F+ m
  1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;5 ]: {' f9 G% x) I4 S: l
  2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。3 m4 o  r  N' S. t
  案例分析:
/ V- Z& b( K1 o+ P' K+ D4 a  X-Ray 探伤----气泡、邦定线

9 j5 d  k5 O$ Y$ S% s- \- c2 d
  X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)


& B9 _8 Q8 ~$ @" l6 K  M  “徒有其表”

$ `* I& Q/ e5 q8 C0 N* g
  下面这个才是货真价实的


  z( D" b; M1 ^  X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)

& V* D  s* V. U4 l! j9 c
  X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)


5 M. W+ @! p: w+ p3 r  (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)

; m9 W' w5 f4 Q+ N  U9 e% N1 c) ~
  4、打开封装
! K: t# Z( Z/ ^- ~0 J) l8 O9 @+ D  开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。

1 L& f9 P& \' [5 G  N* \
  机械开封& I+ o3 ~- n+ \9 Z! g
  化学开封" y; A$ `4 ?/ P% \$ V. S/ ?
  5、显微形貌像技术4 ?% C5 @$ `5 s8 N8 [9 W6 o
  光学显微镜分析技术
9 a! U) A6 I& w' I) ~' x% D& w8 e$ E6 d& @  扫描电子显微镜的二次电子像技术$ ^/ K0 V1 X" w
  电压效应的失效定位技术
9 M1 Z0 d1 F( c  6、半导体主要失效机理分析

* U' R+ Z6 P" H/ O: d  `$ _" w+ U
  电应力(EOD)损伤
7 T/ i( ~6 D7 K: ]6 r3 m  静电放电(ESD)损伤/ o8 ?4 d( @/ f: o8 E
  封装失效% A) \) v. X4 c2 V5 g
  引线键合失效5 l" v6 |# r) d
  芯片粘接不良
5 m/ `! h0 l" _+ K+ K  金属半导体接触退化
$ k5 _3 G6 b& q9 m  钠离子沾污失效. C4 W* ]: g0 Z; S) P2 v: k/ @
  氧化层针孔失效


1 ^2 \$ Z2 ~  Z& R& N% s

该用户从未签到

2#
发表于 2020-4-7 15:52 | 只看该作者
社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-11-24 20:15 , Processed in 0.156250 second(s), 24 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表