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[仿真讨论] FPGA导出的IBIS模型如何编辑修改差分的模型?

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    2020-1-14 15:59
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2020-3-20 10:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    FPGA导出的IBIS模型如何编辑修改差分的模型?0 h0 X8 _# d3 Q# A* Q8 W) t- P

    ) M+ I+ m( M' U% _- C' j- v发现导出来的默认没有差分定义的模型(虽然IO分配上定义差分对)
    , s5 m+ [8 z0 M$ O  o8 p, r如果只是在IBIS文件上手动添加 差分对管脚是否够用?# |' I7 \2 J/ @" c' j
    [Model]        DQ_FULL_800% }8 m) K1 U( d' c/ y& T
    Model_type     I/O0 ~6 @3 S' r* q2 s
    |
    6 V6 m4 t7 L  K! z  XVinl = 700.000mV
    . [; ]& x5 {# ]& D7 _9 iVinh = 1.100V
    8 M" U; L/ P. M3 Y1 X: ~Vmeas = 900.000mV
    ( A8 Q/ P4 `6 s& zVref = 900.000mV7 k: v' p& Y2 g' ?0 u
    Cref = 0.000pF  z- m( k+ R. ?  H% L
    Rref = 25.000Ohm1 G0 Z4 Z1 G8 |' U" w- M" i6 h
    |
    9 ^- ~7 k8 J1 }$ U2 ]) [|                            typ                 min                 max% J5 J" R- y8 s. u7 ~$ ?/ _
    |  G! T" K& |; `
    C_comp                      2.466pF             2.316pF             2.616pF
    / U) x! h# ?% {1 F: ^: l|
    4 v8 }& Y, M& u# B[Model Spec]" o/ {3 s' W% ~  k% w7 ~9 t7 t, Y, p
    | Input threshold voltage corners& s( M+ \# B& Z" z6 y, y2 p
    Vinl                        0.700V              0.650V              0.750V/ R) P3 D* N" p, C" F/ u( e
    Vinh                        1.100V              1.050V              1.150V2 x) ]) y, U9 V; I( n
    |5 V4 t# o% w% F; X& ?! x8 [
    | Measurement voltage corners
    4 |+ O- @  N0 u% Q5 p1 yVmeas                       0.900V              0.850V              0.950V
    3 p% V$ M* k$ {$ @2 b|
    ) L$ f4 A) F+ K' N| Timing spec test load voltage corners6 @1 D, M- J( m  s. u$ p5 p+ h
    Vref                        0.900V              0.850V              0.950V
    9 j6 N5 y# w% r$ k& E9 Q( Z|5 f7 V  W/ j% ^; V& g# S
    [Receiver Thresholds]  / S# n) o+ V' {& ~
    Vth      =  0.900V
    ( c$ L8 b* Q( tVth_min  =  0.882V! H. X- Z! ?8 y+ x; X) ^# d* T% |
    Vth_max  =  0.918V2 n# g; I  S/ w6 K+ a. U
    Vinh_ac  =  0.200V- d7 |- j! R* a" ?2 G# J! `& \
    Vinh_dc  =  0.125V
    # h5 b" o7 l/ p3 c8 ]Vinl_ac  = -0.200V6 b. u; p' m2 p& l; o9 ~
    Vinl_dc  = -0.125V# @9 ]) {% e6 O
    Tslew_ac =  5.000ns |Not specified, so set to high value, V$ p$ h! A- H$ X* ]1 g
    Threshold_sensitivity = 0.50; L3 _- t9 @) G0 J3 r5 Q6 s. K
    Reference_supply Pullup_ref( X# L" S* A" K& ~9 }
    |7 D  a' T( D# w$ V
    [Voltage Range]             1.800V              1.700V              1.900V/ t- J6 t4 x8 o4 T) g* B% Y- I9 e
    [Pullup Reference]          1.800V              1.700V              1.900V
    & O2 L- E5 ]9 i: \- Q5 J% i  Q1 ^| Junction Temperature (Ambient temp is 35C typ, 105C min, -40C max)
    ( ]+ k- W7 v9 M" r! O[Temperature Range]        50.0               120.0               -40.0
    # G  }  j3 N$ ||( y& X4 i" g- v% d8 X
    |***************************************************************************3 P0 Q+ z' ~1 g: x
    , F  v: M6 z0 X+ _# i( o+ W/ g
    [Model]        DQS_FULL_800
    1 `0 J" {4 E' W0 G* j, b1 r3 xModel_type     I/O0 z$ c" P/ Y& D, R0 w) [8 a, e
    |
    $ K& y- F$ b$ C% L; p, }  F) Q1 FVinl = 700.000mV
    ) s$ n% U. O2 o0 K2 Z2 aVinh = 1.100V
    / }$ X. R% r$ T5 Z/ T+ _! T5 k! ?Vmeas = 900.000mV7 B" @; l: T: C, n, S9 j
    Vref = 900.000mV
    # r$ T+ d  G. j# M; n" {4 eCref = 0.000pF
    : @8 k) K( S% W2 e1 fRref = 25.000Ohm6 i# k/ U2 T- ]& {$ M
    |( ^# V# n+ g' F" |2 G9 z/ f
    |                            typ                 min                 max
    8 S5 i: q! x$ P  t$ O/ O|
    , P! ^3 @& J' s: f3 y! UC_comp                      2.466pF             2.316pF             2.616pF
    6 s! }, L' Z+ B|/ ?6 t3 \; ~4 R  n
    [Model Spec]
    . N: [. ~" k) K% ]* T5 Y' A3 l, r| Input threshold voltage corners5 h& Q( ~$ S5 q  f" U: g8 d
    Vinl                        0.700V              0.650V              0.750V0 o+ g  g: H3 S; S6 f
    Vinh                        1.100V              1.050V              1.150V
    8 a- ~* n$ ?5 S1 Y|
    9 t" n  F2 S% L4 T| Measurement voltage corners
    - X- _) P7 A- d+ s4 G; }/ qVmeas                       0.900V              0.850V              0.950V: b) S- a6 }% f, O% C* r) w3 j! z
    |
    . _; p6 ]/ c. {$ B1 w1 [| Timing spec test load voltage corners
    ; c- H5 b4 e% \  E. R0 A9 ^Vref                        0.900V              0.850V              0.950V* H8 R3 v8 }. X8 ?; ]4 n
    |
    * N% B9 g& R: E( x6 l[Receiver Thresholds]  
    " P4 L+ u7 b) ]: q- N/ F|Vth      =  0.900V
    & {8 \0 O. b+ b& d& g|Vth_min  =  0.882V
    + l, K5 R- ^' G1 R, E|Vth_max  =  0.918V& t9 u6 W2 Q4 ?1 r! O* W* F( B" {
    |Vinh_ac  =  0.200V" E$ s" Y1 K7 s3 K
    |Vinh_dc  =  0.125V
    : p: x+ q7 O2 q|Vinl_ac  = -0.200V
    : C) y/ b! c7 Z/ {4 `8 x|Vinl_dc  = -0.125V
    / j3 x5 m3 f4 _|Tslew_ac =  5.000ns |Not specified, so set to high value
    & H8 ]+ H( R" K! ?+ Y|Threshold_sensitivity = 0.50# A' {2 [8 Y3 P) b1 S
    |Reference_supply Pullup_ref
    : M6 b, X7 L" S0 ~|
    # o! _! i1 z! N/ i|NOTE: If using the IBISCHK 4.2.1 or older parser, Differential receiver 9 U0 T5 p1 _0 G) J- \
    |threshold parameters must be commented out because the parser generates
    * M) j) j" v' I5 F4 D|errors for multiple differential models.
    ! b6 _1 y" A% i|
    . z/ d  Q5 ^6 Z" jVcross_low   = 0.675V* a  O: A8 a4 ]* g1 \
    Vcross_high  = 1.125V
    + u& c! o  Q8 C1 s' L  WVdiff_ac     = 500mV! h" c: G. j1 }( j; L8 m5 V  K, Q
    Vdiff_dc     = 250mV
    $ @" x; Z: M: gTdiffslew_ac = 5.000ns |Not specified, so set to high value# d5 V# [4 s' j" r
    |. J5 C4 ]4 q5 \( }, J2 {
    [Voltage Range]             1.800V              1.700V              1.900V
    " a9 t' z. J* f( m[Pullup Reference]          1.800V              1.700V              1.900V
    / v- B3 J- o0 R8 L, ~2 }| Junction Temperature (Ambient temp is 35C typ, 105C min, -40C max)* n; O$ W! Z  Y
    [Temperature Range]        50.0               120.0               -40.0; n; Q& ^8 e8 o/ U
    |
    5 R# D6 _+ y6 s/ g, z/ t|***************************************************************************& ~! N: h9 V9 s: c
    |
    + t0 l8 T" C9 }  _* K. K1 C+ {9 {/ d
    / M* f0 e% T% b- [3 d这是从 美光DDR2的IBIS模型里面截取出来的,对着DQ与DQS在模型上的定义
    & \& l: e( B/ }$ [0 V" n
    3 W* I( p' ]/ ^2 i1 a$ F; K5 c6 P; W/ @/ X( k% J
    ====================================================================================" F# z4 O% w( v  ~9 ~/ o: O+ T

      c5 W& u  @0 k  Z2 q. G6 V; N' j$ C. o/ r% v" |
    手动修改编辑成下面的这样的时候发现编辑器会提示错误
    ' g% |: h" Y2 u6 }# O|
    5 Q. X/ A" k% u$ G[Model Selector] DQ+ M8 T: R3 V. w& Y
    |  Z( P  G* E7 E* A. S
    DQ_SSTL18_II_F_HR* N& j. d, ~5 G- \- T9 [/ x& E+ F
    DQ_SSTL18_II_S_HR
    + d6 V9 w% [" U/ ^3 U9 L1 X+ _DQ_SSTL18_II_F_HR_IN50
      Y: n8 F4 y& W, l' C: mDQ_LVCMOS18_F_4_HR  g& Z. H4 Y) f$ R
    DQ_LVCMOS18_F_8_HR4 p( M5 R7 A4 t! F  r1 ]- z& s  V
    |2 k6 W+ e# p0 g( B7 G% n
    [Model Selector] DQS7 ^8 i: W/ _- `7 C- S/ ]
    |+ t( B5 U5 `6 w+ ]$ g  {# W
    DQS_SSTL18_II_F_HR
    # ~: [8 y- T; L& X' w3 ]& S% BDQS_SSTL18_II_F_HR_IN50( c. n# D5 J6 l1 i- b
    + }1 K' Z' O) b1 L$ O: c& V# k
    ibis编辑器检查的时候发现提示的错误是:incorrect number of line items for keyword model selector expecting 2
    4 d) h0 Y1 S. a* O
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
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    [LV.8]以坛为家I

    2#
    发表于 2020-3-21 09:47 | 只看该作者
    光这么看看不出什么问题,要对照ibis规范好好检查一下

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