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失效分析
5 J; u, y: J$ m1 i0 d
5 r: _0 ]5 v' Y9 a. n失效分析的总章与目录。
, t% f! [" w& ]- M% \
4 ]. _0 c# ^/ U2 U% P; ^5 a" V: i$ x3 k
失效分析基础
" f9 s- V& e. ]# d1 z+ m! D: x5 Q* P+ O `
l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路% C- Z& j) ~/ z8 t& v
/ O s( ~7 U& A% a: K8 v
l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
- ?- |8 h5 ? Y! O' F: W2 t. ^9 V7 [2 \- R2 F
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准3 ~' T) l* {- V7 j$ N( }7 U5 o
8 `: g% j/ P5 j5 R& C' {
. K8 F) }: w$ X; e4 x8 X1 G: D% k失效分析技术方法：/ y9 H4 F! D8 N. I
' \, `1 f5 h, P
A、失效分析的原则 u0 Q- b, y/ ]) h5 c# I8 q8 o# g
6 r1 N1 m# B5 q' t+ G
B、失效分析程序& i& \7 S& K4 {) ^+ f
- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）
, A' m/ M1 d W. w: C3 ?/ e+ q
/ W; b8 @5 i9 N6 {0 `- e3 d+ _- T3 P
) e. u; O9 @/ v5 y( iC、失效信息收集的方法与具体工作内容5 w- Q, @. s+ L: c. o
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例& R, ^) s! C" }* i4 k
0 I0 n9 K$ Q s- B
3 d0 O I! D$ _* m" _4 r {3 HD、外观检查# Q( O& |3 w# M( B$ j) B
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具1 _- b/ x0 c* q8 U' v
4 l' y9 H! a. W0 [$ x8 K
0 q" D2 Z6 k) iE、电学测试+ A3 j% Y# q# W w) ~2 C2 E
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备
! q3 F4 W* b: |) ~ K- A
0 I5 q1 E) j- t7 o( T. {, ]
& W" P7 I1 E+ v: E
F、X－RAY
" d3 a2 |% j# e6 _1 r2 W- e- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较' C4 J( |0 Y) k
1 i N% ~: H- `: G
! x z. F I' W/ ~G、C-SAM
0 [) b6 L3 v$ ~8 e& N' S- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点4 K8 X3 |- H0 D' J
6 f& B1 e7 J' A; T/ C* l& q4 R3 w0 c/ y8 |% \# z
H、密封器件物理分析
4 c; e* `' E% \: Q/ M4 s f6 t- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
- c" c& x: v: l; v0 f
/ T+ v7 A& D. Y2 W4 [
3 r/ V4 a) P; }& y3 gJ、芯片剥层
# n4 l5 Q' u5 d7 f8 {+ s- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例' W6 X% Q* j7 ~0 k3 v. B
4 p5 @' F& N$ J% c2 i" y: k& k) [7 r' O) i; G
K、失效定位－SEM; d3 X+ F& N/ m0 H( e
- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
0 ?& H" b3 Z/ u2 b
W/ [& z& `0 k% N0 E8 f
- m2 A% A1 F G% AL、失效定位－成份分析# e* S% L2 Q% n9 `& e
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
) E; r) {1 Q' A* {4 K8 {- j1 |) S
# O4 O! q& b% I3 _: `/ s0 r& O T
3 C$ j$ w4 S* \( h3 kM、内部热分析－红外热相7 I- |, M0 c) @" A. P) t+ t
+ d0 h. W1 I" U4 ]$ R4 D) U( [
N、内部漏电分析－EMMI
; k8 P% d8 X* ?3 l5 u: i" R3 s/ b5 {* b" v3 |9 s/ j: b
O、芯片内部线路验证－FIB
3 d4 |& {& H7 U, R5 B. e0 {( v. O2 ]" v1 N" P
P、综合分析与结论6 q, S8 M* J9 Q- d
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用' E7 A5 I) z8 q* j. q% @
6 P8 [% ] t+ ~1 s N7 _* O U% a, M5 S# e) O; q! E1 X: @6 u
Q、验证与改进建议: t5 m; E5 T5 V$ [" k* U# ]' p
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪4 n) N1 B9 q# H( [' M1 K4 [
) {9 v) u* E% A% `) t9 o/ [7 _! Q& `$ y1 c) `
: Y3 E5 |& Y; X+ i; s6 y, _0 Z7 t各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：
8 N( H* q9 B4 z! E4 [, V" O, H; h% g) j' ~+ o9 K' |" g
1、失效分析全过程案例( p! u8 X4 V$ ], @# k1 j: Z( N' ~8 i9 f
- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
" L) g" A% F9 G5 r
3 |( J8 F5 S J* F, E! G
4 {+ d1 K, b2 j$ D/ f% `2、静电放电失效机理讲解与案例分析
! `: a9 J' B, w2 C% K- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）* q' q- d9 ~; P8 I
% f0 a* s# @1 x, F2 [* @
6 G( I j) f4 S! J* {# ~3、闩锁失效机理讲解与案例分析8 M1 I2 Q0 [; @% q9 R2 S9 m8 n
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
$ I' A8 H: J" H5 W* u
; b& u6 T5 q$ f* B! p) o! ?$ Y
- m6 ]6 @ r5 O+ n- O4 x4 c8 T5 ^/ g! |
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析9 b" n. j" I, R9 p/ B! m
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例
. e/ j3 \5 J! ?+ j+ y
7 Y1 w% q. d0 Q- d' p6 ^' F
- S6 a7 r- Q$ S
5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
! U2 m1 t: T7 U2 B0 s" d( o0 A- A、机械应力常见的损伤类型
% e+ F( l! _$ ^/ t
) U/ {1 b6 @% y+ N0 a. C: `3 V
4 \ \7 c5 M) ?. k5 S
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析+ I; g! _! s" `) w1 L- |
- A、热变应力损伤的类型和特征
) q: p" M" Z3 _7 D
" t5 g! {5 d+ V- j% ~, n+ _3 j# A$ u7 E
, O/ n" B! P' m% U: a/ @' y7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析; U" b+ p8 f5 D3 n+ ~. z1 V& o
- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段5 Z0 R$ }( [/ m6 N' z# S
& d3 R! h! ^/ g5 X
' t8 n0 R6 [. ~0 r6 }8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析3 \, ?9 ^# }) C7 h
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷
. Z* f8 K9 _# Q% A. S. p3 @
- p% v0 \" J9 h& I/ Y4 V8 ?# n0 A5 K* U
1 S7 ^* K& d+ S1 Q/ g
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
2 H. X5 d' s$ k- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
4 B" ]5 \+ y+ p S1 C* Z- V
P1 w' T9 @' ?5 \/ W
, m) m& }1 N7 }10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
& P3 V+ R7 n5 t l% `! C. R( O3 n" g$ q% \ v; m$ ^. t( S0 R
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析$ F- o+ e$ ?0 B+ ^. y+ q2 \# G6 [. i' S, \
- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理- e$ _* Y' A/ u# X% `* E
3 f, p. k$ w: e T* d8 {: N
5 F4 m# I0 q- G9 t* T; ~7 Z+ v1 ?12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
( t2 |, c0 @/ S. f1 x( ]- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳! ] z9 ]+ X- U) x: }- n
9 A: q. r# D) _, E4 y. h3 T/ C2 A* B1 B
13、面目全非的样品的分析8 [9 W& z$ X( z0 f# K# p
5 @6 q2 ]7 j) a7 |7 }2 @) ?, U来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院- N" p/ k" F! f0 x. ~4 ~9 z
/ P: I. I- A2 S: k
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
/ ^$ d4 |' Z1 Z' r* A
& J5 ]' b H- ?" S: `. C ? V2 c; s. n1 b- x- ?
$ }+ `$ _, l, m2 R$ \
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发表于 2020-2-24 17:28
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