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7 I. k# @7 J2 w
失效分析. \7 _4 o9 l& j y7 X5 m) l5 D
失效分析的总章与目录。7 Q, l( A/ m$ [. }( S4 w/ s, u6 m
" b2 Y# I$ O2 o, ] s
失效分析基础
, O8 z6 ^3 i0 a7 O7 B% ^; |l 可靠性工作的目的,失效分析的理论基础、工作思路6 [5 o2 u3 s6 ~" }1 u
l 术语定义与解释:失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
. K3 ?* T: {# f. i2 \# @+ gl 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准- @4 s% _2 S" S. [* k
- W2 a1 r* v6 J e( P3 l
失效分析技术方法
* r) F+ r$ `- n5 N. ]A、失效分析的原则1 V0 R2 V! C6 k( ]" o
: }. j7 ^: U# ~1 \
B、失效分析程序
6 [, t( C* W3 d/ ?5 r }) R$ T# A- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序(工作过程和具体的方法手段介绍)
- _4 f( x' H$ L) o' e : H9 F+ z8 Y# i% {, h
C、失效信息收集的方法与具体工作内容# q0 u# Q! i4 ]+ X: x
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例- Y8 [; j* j' c& ~& q' L
" L1 v3 z2 D( lD、外观检查* Q+ M; Z+ r9 a9 Y4 ]* |2 I
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具
4 S }9 F$ J5 d8 w
* P4 [, |& k: [$ J- B, ZE、电学测试
/ A- x: R+ x' A- |6 J% T0 x; ]8 I5 u3 X) _- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备$ C, X( o4 l) k4 w: d
% Z5 r% W' \! N ?
F、X-RAY
/ Q' T9 N' J" n3 p& E8 E0 P- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较
1 f) w; { t. r7 E( O : t& }% l# t; ]2 f/ t
G、C-SAM7 o- }/ I) _" L& M. c
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点: k5 t5 y1 C5 K9 W8 ]
- A- B; L5 R4 n! P% SH、密封器件物理分析9 Y4 m: D( D; H. R/ ^% r* M( k, `
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例; z* `7 f+ {& R& @4 a
4 @- W& f. K9 u) IJ、芯片剥层
& @* u/ n7 l$ o- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法,及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例7 p) i3 m6 Y* v6 L) U" M" J# O
+ Q( t- l: y$ N/ H" \K、失效定位-SEM+ @1 v2 H+ u* G+ ~2 A8 T8 {5 c$ j
- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例/ N7 d. U' q7 |: g% D1 N
. S/ J0 b$ F k& x' Z3 QL、失效定位-成份分析. s' e1 M. Z1 T5 u1 }3 `% B
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
! Y0 Z9 Z+ \2 b% b& N 3 L( }9 f, u9 H- |% `' `
M、内部热分析-红外热相
: `7 f) t) P' B# |) y6 _- V$ k* P7 k/ v
N、内部漏电分析-EMMI7 F* q0 y; q/ P2 p5 M* s
+ q: j- ~! T7 O3 PO、芯片内部线路验证-FIB
3 o1 z, L+ I3 k* {5 j& f0 x" \. a' ?
P、综合分析与结论+ {% j( S, V5 ^& n- E
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
( b! h- D( U' [: ]6 M, I + O, ?; ^1 E3 u) j% h
Q、验证与改进建议2 j! P: p" O# u
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪
) l4 A0 R' J1 ?$ l. k6 n; t7 r" ^ ( c# F: n4 X+ u5 {6 k; S7 j
7 ], u/ A# n7 C1 h9 ~6 T
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
( S& i' ^9 `5 y( u+ o' J1 n$ p
- d; r' z! m5 Z" p8 s9 Q* I1、失效分析全过程案例
\3 Z3 j; o7 q5 ?& I- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议+ A. [( r( F3 g) ^3 w6 {! Q
9 k& |% P" d0 k2、静电放电失效机理讲解与案例分析3 z. M! Y" U( U! B1 Z3 r/ s
- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例(比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管)
9 v& L O* r2 p6 u
( W' A9 m5 N9 E/ o3、闩锁失效机理讲解与案例分析/ D4 `) J# S7 x% B: g5 w1 G. V
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例(开关器件、驱动器件等)
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
, z- M* A1 b3 X8 e* M _
+ S. P) r) }& A% W! w9 e' S" m4、过电失效类失效机理讲解与案例分析- l5 m: k! W# F" O5 c; E
- A、过电的类型及特点(浪涌、过电压、过电流、过功率等)
- B、对应不同类型的过电的失效案例6 f6 [# \: D' Y; L, q
! r: h" B" Q" X
5、机械应力类失效机理讲解与案例分析9 p$ N2 b, e9 L" F
- A、机械应力常见的损伤类型
: Z; T0 ?2 z$ j% J6 a
5 k/ ]8 X! }* o6 W/ H6、热变应力类失效机理讲解与案例分析7 w+ Q: [; K. v( j+ @& i7 Y, o
- A、热变应力损伤的类型和特征
" t2 g# w/ Y! D7 `& |3 P& [$ U
l, X9 {) Y0 ?7 s6 x4 q7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
! q. l/ [7 [& \1 s( o0 i- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段
1 t3 P. k2 w6 L
% q8 q: X% x; q2 }7 ^. Y, x; j9 k8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
! d- S: e* J) J1 z2 W- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷7 C! j, @+ k+ ?* p8 f" F
+ q+ g# e: q6 `& n9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析, ? L: }( i8 F3 t
- A、工艺缺陷的类型和主要特征,发现手段" Y5 X" p8 N% m9 k3 ^! b* c
( ] }! f y$ U) q5 U" ?; j
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
% [+ y* y" T; c9 |$ \5 g4 q/ B- i6 u
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析! U' ?( g+ c" s- f
- A、污染的来源与类型,腐蚀的主要原理6 _/ b5 Q5 w7 B- c+ k5 o
4 z {* o1 c& L. n
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
( h3 H4 P+ s. S: ]' B: S- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳4 t4 a- H( P, r! i
$ _) h( b q" W9 Z `' |# N" ]
13、面目全非的样品的分析
( n, ]( H0 i! Y8 l4 S
$ ]6 _% D7 V* e9 F8 y* Q# e来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
) G9 y4 L9 ]. x+ m" K; b2 n9 Q9 Q* I$ M# Q& _: ?7 g0 s
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨) U6 q6 |7 y: t7 M: l
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