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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片
5 T9 a) ]4 g; q0 | Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。 " q1 t# X; }8 p7 D; K
当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。6 k& X3 [" p; w1 N) a$ \
7 P9 N. {7 m" V$ z" F
Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部mcu，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。
2 x/ t4 B Q' G; M0 t+ N( a1 J7 ^$ D% a0 h9 g7 q. d
Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
. z- o) t1 L, _4 ^5 W8 w) k9 O( D7 b: F! m6 h
Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。
; D! F8 Y, Y3 F 主要特性+ A$ @6 b. ~8 c5 q$ R9 `; z# s% U
. v6 l, {4 ?% z* G4 Q 内置128次可编程NVM存储器
' V' E+ T; x' O( r6 }& k( v - q7 \) g6 G# ~6 g+ {( v
3.3V编程电压 s' W9 `7 ]2 a+ S
: V: m0 J5 d7 P. Q: ^6 A9 Z) S. z
) T( ?( V9 V7 T$ h% A" F! k& Q 超低功耗自动发射功能4 V2 H5 J2 L7 f
% A h F" G$ }* w 内置硬件Watchdog0 L0 |, F5 z/ K6 b0 @' }8 e
; N- w1 X6 x5 G/ l J* w
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内置3KHZ RCOSC$ p0 _* L5 M4 y$ L- y
2 z3 m. Q) D+ e$ s' J# _
内置低电压自动报警功能% i c: x r: w/ C
/ H6 v" Z! J+ U7 A- f
2 b4 j( ?3 j5 q+ }. U* F$ k8 L4 V 超低关断功耗：0.7uA% |1 Z4 _: t& @4 B* I* d$ d. [/ b
d/ D6 |( n& b" b 宽电源电压范围：1.9-3.6V! N( F; p/ H5 R% B, S5 N
+ B6 k7 N' C' d/ ^
6 z0 g3 I- j8 X3 G# Q" k8 R8 m
超低待机功耗：<15uA
/ a9 ^& y: e/ u
4 j* ?5 j( D- H% C* W* z 数字IO电压:3.3V/5V
9 ?- e* Z; ?' @& g. Z0 X7 m ! e- s. y' W$ A) }6 [ x
4 W. ~ w1 T; f& ]2 J
发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm） O& |$ W: D5 E
. U T( h% t) V. p/ n5 n. T 内部集成高PSRR LDO! p8 N( q3 f' R8 }% F
* f7 N9 g% o& |1 g5 C
& L. n! z, ]9 e# v8 l9 y
最高发射功率：7dBm （23mA）
$ X0 R2 R* I- p* ?9 ^/ [
3 U1 G; V8 L9 j! G$ ?% W4 T 10MHz四线SPI模块. ?2 l( P7 \: F% L: J/ C
6 o" l$ E# h/ n/ L+ v
" H# Z# x/ K" g& K+ p3 k. B6 ~ 调制方式：GFSK/FSK
% c' p4 |& a* G# J& Z) n( ^4 E
3 R2 S% U/ V! }' d 收发数据硬件中断输出
0 b% @# j. F3 f' v, i9 D6 z4 i1 [' t, p; \
, L! v! l8 Y, F. ]6 Y6 a4 H3 o B
) z/ K: F, L* S% @+ I1 D' i 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps3 p$ h% R# Y4 M+ P" `* K
5 P$ q5 T% W, j- C 完全兼容Si24R2
5 T6 e u( { u0 R$ M- @
' R, ~, n* z$ e
7 b9 q1 s C. ~) ? 快速启动时间：<130uS
0 q: o8 b( Q$ u. B- T# G
- p" j% L6 N- t 完全兼容Si24R1发射功能+ F. Y6 X8 M; G3 K p1 v) y
4 R9 r u- ^+ }9 V$ }2 v
- k/ f& W' y2 g, Q) P1 L
低成本晶振：16MHz±60ppm
' B, t8 e- ^9 p5 l' L, z & ^* K% F* q" J( J3 l3 L7 f
QFN20封装或COB封装 目前这款对这款芯片有点小心得，项目也开始启动量产，我将这个芯片的数据手册以及案例发上来，给大家参考，同时欢迎各路大佬给建议或者交流。
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发表于 2019-12-26 10:21
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