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目前,随着现代生活中的人们对产品质量和可靠性要求不断提高,芯片的失效分析、可靠性分析也越来越得到关注和重视,失效分析是通过对现场使用失效样品、可靠性试验失效样品或筛选失效样品的检测与解剖分析,得出失效模式和失效机理并准确判断实现原因,为采取相应的改进措施迅速提高产品的可靠性提供科学依据。
9 T' ~6 C; _! \+ W) w 元器件是电子系统的基础及核心部件,元器件的失效及潜在缺陷都将对设备可靠性产生重要影响。元器件在研制、生产、试验和使用中的失效现象时有发生,要弄清楚元器件失效的原因及其规律和影响因素,往往并非易事,芯片失效分析就是通过查明失效元器件原因,采取相应措施,防止失效的重复发生。
$ R+ L' q, x7 b- k9 g# o 芯片开封
- Z5 f# C+ L; ?' ?- g 芯片开封就是开盖或开冒,即去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验做准备。
% O& O: D& B9 t* v4 F- E ^2 [2 _ 封装去除范围包括普通封装,COB、BGA封装,陶瓷、金属等其他特殊封装等等。
$ `$ c' y; y* B EDX成分分析, {; L( a- c& s6 n8 P
SEM扫描电镜/EDX成分分析主要包括对芯片材料结构的分析与缺陷观察,芯片元素组成常规微区分析以及精确测量元器件尺寸等服务项目。
) `4 l% C' w0 v 探针测试$ k1 C1 A0 ]6 z, T
探针测试则主要以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。
5 C4 s, ^! w" F4 H EMMI侦测9 B* N% O: ^: z5 Z
EMMI侦测主要进行高灵敏度非破坏性的故障定位和侦测,拓普EMMI侦测对应故障种类涵盖ESD, Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。
5 q( |+ n; z9 H: a( P LG液晶热点侦测
- l5 i. P3 d' n) J7 T& D' v9 y LG液晶热点侦测主要利用液晶感测IC漏电处岑溪排列重组,在显微镜下呈现出不同于其他区域的斑状影像,找寻在世纪分析中困扰设计人员的漏电区域。1 [5 Y* X, ^# P8 Y2 f1 P, C! s+ h
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