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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!
5 }: ^9 G1 i" ]0 u1 g  a之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?2 V# C& j3 c+ o" B  V" J
+ ~; w9 S  A0 w2 i" [! B, X# t! Y
   
9 W: }7 {, E' K" d
4 O5 t7 D. L$ ?4 P
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
    7 {( ?! D3 R, a) ?! n6 y* i寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,, C2 M$ x/ ~5 T* w1 y
    这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑
    ) d# b7 k+ a, [+ E. G& L! M; K/ H$ q6 T. S3 z( ?
    RX线下方挖一层是为了降低寄生电容& @! a4 z3 f+ K
    =>  未必!!
    ! D$ o3 c- ~: O& D0 w
    & r2 c' m+ Y' x) }' L' d* H- \7 \: ~! m, h" v

    / H# r! {# j' C2 U
    ! d8 L3 `5 y  n2 h- P( V% Y5 B8 E$ S
    ( f1 ^0 i" h5 C" O7 w2 f, L/ |
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大
    ( w3 k$ o+ f' S6 D* k* O% n
    4 {; n8 T) p# W/ p
    我们拿实际迭构来做计算

    + m  P# Q6 c* _/ ^: l6 y

    & X0 a4 ^0 l! R, A- C) `; |) ^, ]; X
    3 D$ a- W) n3 {0 \) z- o. U# W8 ^( l

    ( G) Y1 m; }* D0 X
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字
    + P% \- S+ e# E& r4 p
    ) G$ Z% L: \% H9 D

    " B8 }- M8 C$ u2 a
    % H! W- P# m6 t1 l) \" P
    : u$ l. l/ L; f# E* A
    3 Y& }- u  N0 I. F2 h
    " _, g- y. y0 `

    , I1 T( E, x$ t: `" ?, R
    ! i( D% D7 K" d6 g  Z3 b0 i1 X: o0 K9 M) p  f# d
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil
    0 m! ]7 h, x* j+ R, D

    9 n: {+ I% i0 u1 O8 _; V

    2 T# L/ K5 u9 M6 X. G* ~( G: i7 l9 l/ R
    ' z% ?3 O! z; b- ~. W
    8 F2 ^+ c6 y# E% V9 @6 Y; {/ ]

    ) u! `: t0 J* o) W( r4 p7 T# G. K: U: S7 i* v6 r

    1 G) f$ t: p3 ^6 r
    & s! @2 E0 Z( X
    8 o- t. Y8 M6 R! l5 k+ H
    " t+ }# j% n; t
      q( a5 [: W; `
      L( W! L, w1 R+ j0 R7 f& V# l2 i0 a; D0 z/ S
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil
    / Q3 N4 [3 p4 t9 p  I

    ' s( p" v, l8 m. J( ?

    & b; o1 ?2 G* s' G4 E0 L 8 G# _2 w  [6 o6 T" p: g  @

    4 A) |, L/ |; W4 b$ _
    $ m3 `7 f" a( T
    ' i& f% j& h+ `* \) B+ x6 q# B* m) Z8 l1 \, ?: Q

    % B: Y9 ~' J; h8 \4 I- i$ _6 @9 C' y9 V* s; V
    根据电容公式:
    2 G) Y2 ^% R. N" @0 Q" m
    ; N% y  f9 {, G

    1 C; a$ Z# L. K0 E$ z" n7 c! k7 F0 [
    ( I" s% c1 o9 r# B3 D. c

    % j- k) M$ @9 l5 g  }( V

    * @7 V$ |* j/ R- i  i* q
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?
    # R7 k  {3 Z9 |/ d

    8 G! o# a: F! F1 Y1 i
    5 T! d# ]! d$ t$ l" S
    . p  N5 V: I3 K6 w) D7 Z

    , ^. Q  y, [& f& K9 B) f5 Y7 R: X! i9 U& {
    ! _  e9 g2 r* G% H, O2 U' x9 \

    + M' j  ?. d$ Q
    3 @. o5 o- B/ [9 c( e+ x, I$ q6 A7 }- D3 F' f+ ^

    8 e3 z; d9 i  B1 @9 p7 H( w' ~" F7 _
    , h) j- V) m: A  B; e+ g$ q6 [' n- D$ Y8 Y% Z

    & e. C3 Z, ?2 G8 z2 _ / n1 n, n7 b( u! U
    7 ?. X/ w' v6 L& q  V1 A

    : }; e; O; A1 K0 v/ s* X8 }& ^
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?

    / e. X2 X- T# n' ]6 d: c  M9 ?2 S6 ~
    9 C. ?9 W+ [6 o3 }7 D) i% ^( @
    1 g) x/ h: E2 j0 n! x$ n

    9 @! u: _6 R5 b' k6 v7 Z
    # ]% f2 B( K3 n* d4 |  E' x0 O
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证

    , m- J8 q+ M& z. a; I( U  y3 L( \( \( w8 Z- H% S

    6 {( p  U# j; @7 j, J
    * B8 a+ L( T; w" w  m) }
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道

    9 B  m0 k& `$ J
    + R9 _( y5 d9 a& z; f
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