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1,缩短高频元器件之间的连线,设法减少他们的分布参数和相互间的电磁干扰。: p. O o/ x+ ~% R4 z" b$ J
2,易受干扰的元器件,如IC远离强磁场,如变压器
C3 d& A9 Y4 j ^3,某些元件或导线之间可能有较高的电位差,注意安规距离/ {: m2 B$ T; m# H8 F( p! w
4,对温度敏感的元件(如IC)远离发热元件。特别是电容。
5 O0 u3 _* ^: O, l1 M5,元件离板边不少于2mm,至少1mm
' @: S9 U# }# l6,模块化电路布局,尽量缩短各元件之间的走线
8 @5 B, V' N5 {! [8 P! V7,输入输出电路比免相邻,平行7 D# M4 O. j0 E2 b
8,注意电流大小来按排走线宽度
2 ^3 V4 f- l. x3 y$ A4 A5 w9,尽量比免大面积灌铜9 @. p, [/ M1 @
10,注意环路6 `, j- w9 W9 Z$ h2 y
11,地线分开* ]# A* |4 p6 R$ I& h% n
12,接地加粗: [0 w! L% s8 K1 t4 a+ ~
13,单点接地
( b x- U- j6 N8 @4 M' ?" @14,功率走线尽量最短化3 R8 u1 z, y2 t2 |. I( M z; k
15,采样线,驱动线,同步信号线,反馈线注意重点处理
, f0 u1 V0 ^) y* F) [" t. z' O# c16,注意磁场回路2 w( ^( c. P6 D1 X& N
17,电流环走线5 R6 [* K; o8 P5 E" F
18,滤波电容的走线处理
; i) p: c7 C) y* q2 g" d+ s4 d19,RC吸引回路靠近开关管
+ ^2 r* w' g* Z4 y3 U& W20,...
. f- l: P% {2 y u+ a# a+ m ]...
( p+ G' w% c6 T9 M7 h1 s...% n; k+ N$ h( k3 Z. z9 j
...6 A3 ]( |& |1 u1 o3 v7 i6 @
50,信号线不能从变压器,散热片,MOS管脚中穿过。 |
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