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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑
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* s* x4 w, r8 E& S8 U本文大纲7 U, f% |% L! j$ I
本文章分三部分:% B. A" @" v# w: Q$ v6 Y _$ X! ~2 N* b
(一)wave port与lumped port的理解
; S9 B R* i7 |0 p. C$ m' y(二)两种port的仿真操作用法
, m5 @/ q6 o' J3 I(三)S参数归一化的问题
! U5 i. z" L& W说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器, X e {% \# M3 V; Y, f, A
. i9 j& ^2 r, J2 N- X
简单介绍下HFSS:
1 p5 L. ~% ]0 B8 V4 o3 QANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
! n! W9 N$ s& }3 W9 w, l① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
, E/ I- y$ g7 }5 Z② 端口特征阻抗和传输常数$ c% w! V7 u& ~3 N' s
③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数3 y5 T7 o; s- E7 [% U
④ 结构的本征模或谐振解。! A3 W1 Y7 t, o7 X& E
而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.
# I1 K0 k: o4 O! F4 K" I! A$ }( eANSYS workbench: Y2 D/ V8 Y) E
' n( I4 Z4 f2 A5 T1 [2 s7 ?
2两种port的仿真操作用法
) r M6 ?8 h0 Z' P: R1.微带线下wave port8 K( `: ~$ G' l
如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。* h, O) o) T9 @7 G
1 K5 s! x8 t4 [图5+ K* C7 e8 U/ p/ g7 b a/ c
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。
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$ I# K+ g) @- g: i6 C; `) P. _8 k
图6
! A9 U0 d4 J3 D6 y/ F6 t9 o: ?) d2.微带线下lumped port
7 J5 o1 q) b( ~如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错: F8 `1 N L& f6 Q3 o) ^
5 Y" z* o7 B* t1 ^, j: t1 I图7& b7 y- D. S- Q$ e: |4 n
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示
7 F+ N! w# {) W! y+ y: e N0 p% r
; p! k6 `/ c0 Q- ]8 A2 D) B图8
, h |7 T% B& p5 E5 T# u7 h: s3.带状线下wave port
3 n% ?) z4 g/ t' j' y如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。
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0 S1 K1 K9 C# k1 G- G/ `) k: P
图9
1 d$ Q# J! T2 l" n! m然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
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图10
2 @ }) P) ^5 V/ k* L, b# Y+ t* D& p4.带状线下lumped port0 O" U9 G v1 j6 w
带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“PeRFect E”设为理想电边界。/ y) x5 A% o1 j& k, ^
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图11
9 N& g7 c$ V8 u接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。+ A& s5 l, @2 C1 O! e; R5 g( t5 N
6 B- o o, S" D! I3 X# Z图124 X* s' x0 w2 _ e4 ~) Z5 G
选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13" u- X! ?3 D' U/ v
3 [6 C+ D5 `( }, }; N2 h图13' w2 M" B3 C4 G
未完待续.....* O. k! [, a5 D0 S0 L
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