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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-1-19 15:47 编辑 2 u4 {0 d9 K. N, U; D
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1. 建模
3 B+ F9 ?" I) T" q. \. y0 Rcadence的sip或APD封装源文件,输出floeda文件。
4 B2 N- B7 {# L- I
3 o: U" e$ K& b3 { D
; p4 G8 [8 [3 V1 D/ Y7 D$ t
, s7 Y- i7 v& B! K打开Flotherm,新建工程,打开flopcb工具,导入上面的floeda文件,检查元件的属性(三维尺寸,材料,功率等),修正属性不对的器件,都没问题后转到flotherm工程文件中。
/ ]. G5 M& J* }: S: \8 w
b* k% r* L; ^8 A- f0 ^
3 w3 s3 T& n& `% Z/ C( D$ x
以上只是把sip文件导入到了工程文件中,接下来在flotherm中按照JEDEC51-2,51-7的标准搭建仿真环境。9 _( s" P: `- K- l$ ?; L. ^; W5 H
给sip加mold塑封,测试PCB模型等。9 ]) { [8 {" ^6 v3 N) f: V
# @ ~' h) f/ y5 \+ |7 B4 P+ j" u h# e. K( C
4 o6 z! i0 u' V# k% U# z2. 仿真' K% f' i) J9 {6 ?3 N& v
右键在模型上设置模型的各种属性以及网格划分等等6 [" |" g7 v: G, h3 z
) h; x9 s8 W$ @3 y
8 q6 S2 g' X. r0 v. U4 a/ R
2 B* _* R. t0 L9 U% i从Model菜单下依次设置各种边界条件,约束,流体属性,变量控制等等, I( [# q, l( K% e* J. _( Q' A4 ^1 U
* n: c" d/ d; q T k- Z/ S; U! U4 h
从Solve菜单下依次设置求解控制等等" O; U7 r9 m! r, N
p/ G9 w e3 u1 e! }" v
/ Y) c# h6 X1 L3 x& `* i& ySlove/sanity check没问题后,就可以运行仿真了,Slove/slove。。。) b& C5 ~8 ?" m; B
仿真运行后,弹出仿真的监视窗口,可以看到残差曲线和监控点的温度,此监控点设置在封装内的两颗硅die上。
0 x' b4 B4 B5 o& _" {4 Z/ [达到设置的收敛标准或迭代上限后,求解自动停止。
- X! `6 W; a7 P0 e0 x
% c9 Z* q7 W, b& V
/ r( h. G1 F' ]0 [ R
3 C: W) o- f) n7 W [( T6 A
3. 后处理
0 C* @; R2 D$ f* ^. }运行flotherm的后处理程序,生成直观的温度场图,模型表面温度等等
: H5 p7 ~5 G& | w" `/ q) S( b/ w5 l
& L _" k( Z7 V! p/ V
4 \+ X- o: [* T) u
& @% E% p* B- Y1 z4 U4 YRja=(Tj-Ta)/P=(53.4-35)/0.144=127 (K/W)
" ?+ G7 q; c, y! b$ I9 J, x! X+ g/ D5 c. R6 ?& R/ X
为了改善散热,在substrate的下方加thermal pad加强散热, 结果节温为50度,对应的Rja为104,降低了约20%。
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