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关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用

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1#
发表于 2012-12-7 16:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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各位大侠:
: V( E/ S. _) i# g+ S5 e0 G 请教一个问题,关于DDR3 时钟线上的匹配电容,这个电容的作用。我现在做的是4片DDR3,一般情况下去掉C63这个电容或者上这个10pF的电容,DDR都能跑起来,速度的话跑480M也没有问题,但有时候,某些PCBA上就需要匹配这个电容,加上这个电容可能效果不怎么好,去掉效果更加。有时候某些板却要匹配更小的电容,才能下载。关于这个问题,一直很困扰我。有两点很困惑:
/ k1 d$ H' |: ~6 ]1 U0 v' W1 x# x& c3 X' S
1、这个电容的作用,电容的大小对DDR的影响?
" C; V: L' N6 C5 v, Q
/ S8 H  L" O1 E8 f: ~( @4 F0 U2、为什么某些PCBA需要去做这样的匹配,DDR才能跑起来,并且电容的值还不一定相同?
* @# F1 c7 K7 r, M
1 N! U7 c. C# @) L对这部分电路确实还是很迷惑......

image001.jpg (28.25 KB, 下载次数: 14)

image001.jpg

本帖被以下淘专辑推荐:

  • · DDR3|主题: 2, 订阅: 0

该用户从未签到

13#
发表于 2013-1-12 15:30 | 只看该作者
电容应该是消除差模噪声,而电阻如果是串联的话应该是满足阻抗匹配。如果是上拉,那就是ODT,(这个是用于memory down的情况);

该用户从未签到

12#
发表于 2013-1-11 08:42 | 只看该作者
part99 发表于 2012-12-9 18:19 8 X7 a! [0 Z6 u4 w/ D/ l
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;
; T5 o% Y! u9 Q0 y# f4 O7 b& C& O2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑 ...
* s' r# |% r. W3 z  k8 ^
我们一般在CLK上是串R,在两个差分线上预留一个位置,不过不是放C,而是放R,做到阻抗匹配。特别是两层板的时候。
  • TA的每日心情

    2025-11-21 15:00
  • 签到天数: 58 天

    [LV.5]常住居民I

    11#
    发表于 2013-1-10 11:30 | 只看该作者
    各位我认为电容它就是个随着频率改变的阻抗,给不同频率成分做了不同差分匹配呀,频率越大,意味着容抗越小呀,想想大家应该能明白是咋回事,不想电阻跨接,它是全频段的。

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2013-1-10 00:32 | 只看该作者
    多谢分享!

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2013-1-2 17:23 | 只看该作者
    学习了

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2012-12-24 12:58 | 只看该作者
    了解一下,深度不懂
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-11-26 15:28
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2012-12-20 09:23 | 只看该作者
    文章不错,学习了!

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2012-12-12 09:17 | 只看该作者
    czypf 发表于 2012-12-11 23:14 " q3 E9 b" e1 B0 l& _
    哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

    ( e4 i3 p$ z8 [: `: o. h应该就是几PF就可以了。

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2012-12-11 23:14 | 只看该作者
    xin_515 发表于 2012-12-7 16:31 / E5 a5 h/ l: |( W* n
    我的理解是消除差模干扰

    ' F* G% P0 x/ l/ R0 |  G 哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2012-12-10 15:04 | 只看该作者
    个人认为此电容与前面电阻一起构成L型滤波电路,可以滤除一些高干扰和高频过冲等,使信号时钟信号波形更好!!!

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2012-12-9 18:19 | 只看该作者
    1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;
    % r) n9 E( \- C2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑起来,只是overshoot多了一些,内存芯片热一些的区别,这个电容应该放在内存的接收端,而且,如果480Mhz的DDR3,以我的经验来看10p还是大了一些,应该3-5pf会好一点,大了就有点过了。电容当然和频率有关系,不同频率用的值应该不一样,具体值要看测试结果。

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    lap + 5 很给力!

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    2#
    发表于 2012-12-7 16:31 | 只看该作者
    我的理解是消除差模干扰
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