大电流模块短路试验

Chenmiking

我有一个大电流模块，电流大概200A，需要六个MoS管并联，我有三个方案，一个方案是三个一组，分为两组，用两组开关去控制两组MOS管，每个mos管带独立的栅级电阻还；有一个方案是用六个开关去控制六个MOS管；第三个方案是用一个驱动信号去控制六个mos管，六个mos管都有独立栅级电阻，我想问一下，在做短路试验的时候，这三种方式，哪个更容易造成MOS管的损坏？

超級狗

Chenmiking 发表于 2025-11-5 21:13
大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？

7 T  S- j$ M) M5 s# \; _2 Y其實這個問題可以視為，MOS 管 SOA (Safe Operation Area) 曲線問題的延伸，請看 Jacky 老師的帖子！
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% \% K- E, g* W( U6 K. u' UMOSFET、 IGBT为什么会烧掉？ - 硬件设计讨论 - EDA365电子论坛网
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Chenmiking

超級狗 发表于 2025-11-05 13:11:52

虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
4 U# c1 v8 X8 y% d+ k7 E3 H; E在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。

' I- ?! Z0 e. {. @Nexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。

  v3 z# i# U- J! z3 u# vNexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网

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超級狗

7 j( i1 \1 y, N( t* B8 l$ p虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
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在短路试验中，方案三（单驱动信号控制六个 MOS 管）最容易造成损坏，方案二次之，方案一相对最安全。

超級狗

3 e6 K* R( x; d9 I  Y# A6 B0 i爽乎？

重點不在於你做不做短路測試，每個 MOS 管的特性都不一樣（開關速度、導通電阻...等），如果開關時間不一致，平時工作就有可能會往生，不用等到短路發生。

• 一次要推多顆 MOS 管，Gate Driver 的驅動能力需要注意。
• MOS 管儘量選擇同一個批號，特性會較一致。
• 需要追加過流保護（OCP）機制。
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0 A% y# ^6 A/ ~8 |; G& V踢哀（TI）參考設計 TIDA-00364

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我的看法是，有200A的mos，价格不贵，用一个，直接控制即可。