怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

超級狗

9 g" Y$ H- ]/ t' l, Z5 O6 q) u7 Z

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
% y( r& U/ s0 \
/ N5 i% Q8 W0 B0 E' _; @1 {V_DS ≥ V_GS​ − V_th​

其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  
  
  1 g5 W5 f- }$ ^8 {

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
- B3 B3 M/ I! {4 K, C, [
原文

! ~! _! u: A2 d4 @* P暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！
& n7 Q+ o: _8 D( W/ `

超級狗

5 c* U' ~" I: u# n) x% R1 Z

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
. e! V; Q  T$ M: s我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
' K* Q. c* Q+ V4 n# l' f. b! ^以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

% J1 ^4 s* e& B4 T! |+ qMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。

了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。
# b: S- K8 u  M' J. }
4 `$ @; [  V6 X3 C9 Q  |% Q狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！
& Y2 r7 E. q3 S  b& Y
7 q& K. m7 O% ~$ K

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载
6 ~7 c( L* Q9 E( G) l! l$ ]; u

db-_-

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
" @$ `" R* G. _" z- t以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

8 x% g- ^. X/ r# t' _/ @, BVgs > Vth后，Vds < Vgs - Vth 是线性区，Vds ≥ Vgs - Vth才是饱和区。

Jeff_11

个人理解，量测NMOS的话，可以先给GS两端一个阈值范围内的电压。如果DS两端有电压，测量DS间的压降，看压降是否为0。如果DS没电压，测量DS间的电阻是否约等于Rds（on）。

cailiu

哈士奇是一種連主人都咬的爛狗

clp783

路过，看不懂。

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载

我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
! M/ E: N( _6 D# H$ |. d

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
$ T3 z" T" H; ~& S好漂亮的畫面！

; |* G% d# H9 p; H9 u7 D# l5 ]这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
! E3 y3 U# V' P( y实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
+ F# d. z4 B) o3 LMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
4 V1 M6 |, t, g" O9 `
% n6 D6 ^* m5 E5 H! z$ n3 i了解這些參數是怎 ...

好漂亮的畫面！

4 X. {! k$ p. _6 a, v' e

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
- `6 _6 i: v6 {0 k通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
( A, X: d. X! E* x1 ?% G; w6 k  g' Z以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
( [: N2 F0 C) p2 k# ^! @按这个说法，gs给10V，d没 ...

通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
. \' d0 r) T" uMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

7 G3 u5 w% i8 K5 |V ≥ V​ − V​

+ m' z' a2 T. f2 z: w+ h涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
/ i. h3 G5 ?" ~7 {) B/ l/ P' o5 b按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？
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