EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
H6801 芯片关键参数汇总 类别 参数细节 ! D! P- a+ K5 F4 P5 @
输入电压范围 2.7V ~ 25V（工作范围）；启动电压低至2.5V
# @: o6 x; `2 ~3 X 输出电压范围 可调输出，最高36V（需外部反馈电阻设置）
) B% T& m6 n! m& z7 y4 w 工作模式 自动切换PWM/PFM/Burst模式，轻载效率优化
+ J$ K+ x* q! F9 A' e0 L+ a 开关频率 固定390kHz，支持抖频技术（降低EMI）
}2 K" [! J/ U 转换效率 >95%（典型值，取决于外围设计） 4 Z z) ]6 H8 }, r! I
待机功耗 EN拉低时，关机电流<2μA & c' f) W+ ] L' m1 o% I. E
保护功能 输入过压保护（OVP: 25.2V）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP） 2 v& C, b/ r# c, r6 V+ d
封装形式 ESSOP-10，底部散热片连接GND，优化散热
# F" L/ Q9 }4 Z. _2 v8 b LDO供电 内置40V LDO，增强系统稳定性 引脚功能定义（ESSOP-10封装） 引脚号 名称 功能描述
6 k, A; o k! {. D+ { 1 VIN 电源输入，需就近接滤波电容 # }* C8 R' w/ m: V% t! B- D) s
2 EN 使能端：高电平（≥2V）工作；低电平（≤0.4V）关机
3 k8 {6 z+ a% S5 e 3 SS 软启动控制，外接电容设置启动时间（避免浪涌电流） + s% ~# X$ T/ |6 Y K
4 FB 反馈端，接电阻分压网络调节输出电压（公式：Vout = 0.8V × (1 + R1/R2)） . l- O8 f* z$ I3 L, ^* T9 G
5 COMP 补偿网络，连接RC电路稳定环路 8 [7 C& ]3 r4 |3 Z) ?% f0 P
6 GND 功率地，需低阻抗连接至散热铜箔 2 b" u# d6 v& g7 h' u
7-8 SW 开关节点，连接电感与肖特基二极管 ; \& w6 N; U( X; H6 Z
9-10 NC 空脚 保护功能详细规格 $ d/ {0 P( E+ A( d
- 输入过压保护（OVP） e8 L3 x, U" v8 e; c3 Z
- T4 p9 W ?, J; f' g( V" u - 触发阈值：25.2V ±5%& I! i4 h) B8 F9 O: [
- 动作：停止升压，SW端关断，直至输入电压恢复至正常范围。) p2 i7 W+ E! {- F, ]
- 过流保护（OCP）
; U7 X9 t8 `0 q4 ^. g1 j$ ^ 1 Z* N3 n# ?5 N
- 峰值电流限制：通过外部电感及MOSFET参数设定（需计算电感饱和电流）。9 _$ I2 N5 B( q. P4 G, V
- 过温保护（OTP）; |. S m$ M9 M
/ V5 u5 }* f( I& ]3 l* R m: c1 }
- 关断温度：150°C（典型值）
/ L3 G% y$ v+ L) e - 恢复温度：125°C（滞后设计，防止振荡）。
( ^, y, w5 _& Z5 j 设计注意事项 $ u2 ?- s# m/ f [) C1 f
- 电感选型$ l9 ]5 \* _; v* G; T: c7 q
2 a; ^& x/ z2 H6 m - 建议使用4.7~22μH饱和电流充足的电感，如铁硅铝磁芯材质，降低高频损耗。
* _! n5 M/ Q' ^1 |& K
- 二极管选择
% L1 f- y: Z" v) k1 K: V
" W' U2 B5 z6 l: K - 必须采用40V以上肖特基二极管（如SS34），以减小反向恢复损耗。
0 {1 b% a+ w+ I7 a
- EMI优化
% Z& u! ~; C; Q' q2 u5 k, y
1 ]# D+ F' L0 g6 w, J* i! I9 V - 利用抖频特性，布局时减小SW节点环路面积，必要时添加RC snubber电路。4 ?0 D! X! Y! M8 p& t6 l
- 散热设计1 U; `# C" o% }. @
9 B9 ^/ b! H% g9 v4 s - PCB底部铺设GND铜箔并增加过孔，利用芯片散热片提升热性能。
4 ]+ `4 A W: q
典型应用电路示例 12V输入 → 24V/2A输出
- t+ w9 S5 [' V0 n) S, B - 反馈电阻：R1=28.7kΩ, R2=1kΩ（Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V）
/ y) Y5 {* l+ i D! U, ~ - 电感：10μH/5A（推荐Coilcraft MSS1048）2 P& {% c! _6 j9 X+ d
- 输出电容：47μF陶瓷电容（X7R）+ 100μF电解电容（低ESR）; d& f4 e% Q1 _, [4 O
应用场景扩展设计
- O: _. h- M$ n" y' w4 j - 太阳能供电系统：搭配MPPT算法控制器，输入侧增加TVS管防止浪涌。9 s" B' ]+ }5 l& [" c! ~
- LCD背光驱动：FB端叠加PWM信号实现调光（需隔离电容避免干扰反馈）。
4 ~" k5 X! a' E# Z - 音频功放电源：输出级并联高频滤波电容（0.1μF陶瓷电容）抑制开关噪声。
, E- e- o( i+ r
效率曲线参考 负载条件 效率（典型值） : s/ i7 p4 c1 t' P
轻载（10mA） 82% (PFM模式) , e5 z: u' E7 @& o O( X9 D2 S
中载（500mA） 93% (PWM模式)
$ {' B+ Y' d6 L: W 重载（2A） 96% 电路原理图 7 a. e. h/ s! w6 f: a$ K+ j/ j, T
| 
/1 
楼主
收藏
淘帖
支持！
反对！