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 楼主| 发表于 2025-1-20 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
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7#
 楼主| 发表于 2025-2-8 09:29 | 只看该作者
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6#
发表于 2025-1-22 08:25 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
幹菲特GaN FET)介紹!
; o0 D+ s3 M; Y: z  |
- e7 U1 ]! g: l/ q  U8 Y4 H小弟的菜英文,請大家忍耐一下。2 q( N0 M6 ]! `! E; s$ Y6 s$ k8 M
/ T! n) A/ {8 `& @$ U5 h/ V

KeithleyPart1.pdf

7.41 MB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

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5#
发表于 2025-1-22 08:12 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
氮化镓GaN FET)的優點不只這些,你要自己發掘!7 t2 k8 n3 Q$ t, O2 [# @
7 T- X* ~$ g/ a7 C6 N6 a" \

4 s9 R3 l  a  b

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4#
发表于 2025-1-22 08:06 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
比好的!  D! T, A# b9 L/ j- w8 U

( X5 Y# [8 N$ t* [% w* N* e

NXP GAN063-650WSA.jpg (52.58 KB, 下载次数: 3)

NXP GAN063-650WSA.jpg

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3#
发表于 2025-1-22 08:05 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-1-22 08:06 编辑 : j) C  b8 j1 d1 i% t
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
比爛的!
  p: R% W" j. j$ j) N1 G) o) f0 e* V& v5 E( ?

XINGUAN XG65T230HS1B.jpg (66.88 KB, 下载次数: 3)

XINGUAN XG65T230HS1B.jpg

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2#
发表于 2025-1-21 14:31 | 只看该作者
氮化镓(GaN)的优势主要体现在体积小和耐压高两个方面。氮化镓材料具有出色的电子迁移率和击穿场强,使得氮化镓器件可以在高频率和高功率密度下工作,从而大大减小了器件的体积。同时,氮化镓器件的耐压性能也很强,能够承受更高的电压而不被破坏。
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1#
 楼主| 发表于 2025-1-21 09:53 | 只看该作者
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