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传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点?

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 楼主| 发表于 2025-1-11 11:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2025-1-14 13:09 | 只看该作者
你能動點手網搜一下嗎?
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# d9 Q* R: n" q% h0 b国产MOSFET十大品牌产商你知道哪些?他们的实力又如何?
# g+ x% z9 t) G+ x- e. M
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该用户从未签到

1#
发表于 2025-1-11 17:46 | 只看该作者
与传统硅基半导体材料对比:9 n7 F- f7 I* n) }2 P2 q
COOLMOS、氮化镓、碳化硅和砷化镓在性能上均优于传统硅基半导体材料。它们具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度等特性。
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