硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

kwanghua

CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：
) `& n7 g6 F) Y5 w9 ^1 }快速切换
" ~. _! E6 [6 }& Q低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
+ L3 V, a. Q' k- T0 B2 |低栅极电荷(典型数据：32nC)
% J4 U0 B+ e8 ]" E低反向传输电容(典型值：7pF)
# C  t; b8 S7 l" x7 p+ _' D/ F100%单脉冲雪崩能量测试
& J/ r0 p$ l0 p, i  ]3 i6 H应用：
适配器和充电器的功率开关电路。

s8484ww

能申请样片吗

kwanghua

s8484ww 发表于 2024-9-23 10:38
- H) o# ]3 r4 s0 P' r! F; C* n- V% [能申请样片吗

可以先加一下，vcs01-Kwanghua
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