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硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

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 楼主| 发表于 2024-9-21 09:29 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET,采用自对准平面工艺,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F,符合 RoHS 标准。特点:4 m8 m: }  A. o
快速切换+ C1 u- D- G4 B6 J+ I
低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
( D/ ?( l" a$ u6 V7 h# u低栅极电荷(典型数据:32nC)
6 I8 u1 q* g+ E% w. _低反向传输电容(典型值:7pF)6 J4 V* t& E" r' k1 ?
100%单脉冲雪崩能量测试/ c: R6 O, E/ l- h% z. ~5 n
应用:
! Y3 x! Q& [# r. L6 W" M1 A3 u适配器和充电器的功率开关电路。7 I1 h9 O- T5 n0 e8 U

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2#
发表于 2024-9-23 10:38 | 只看该作者
能申请样片吗

点评

可以先加一下,vcs01-Kwanghua  详情 回复 发表于 2024-9-23 11:31

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3#
 楼主| 发表于 2024-9-23 11:31 | 只看该作者
s8484ww 发表于 2024-9-23 10:384 U  s, ~2 L- j% X8 H
能申请样片吗

0 E4 ^: _) k6 s& Z7 a6 k) u可以先加一下,vcs01-Kwanghua& {  R7 o+ X) E
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