基板工艺SOP和OSP问题

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请教大佬们，基板设计中的SOP工艺和OSP工艺，有什么区别呢？什么样的场景下需要使用哪种工艺，对应地在设计上需要注意做什么处理呢？谢谢。
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Dc2024022229a

SOP工艺  Solder On Pad，一般是FC Chip使用，基板的Pad上通过植球，然后压扁成型，形成Solder Bump，便于后续的芯片粘接。
! I- r& B8 h) ?3 L% oOSP工艺 有机保护膜，定义应用如上表，是为了保护Cu Pad不被氧化，保证焊线或者植球时的良好的结合，OSP一般可以通过FLux处理掉，也有不处理的。

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星期三小子

Dc2024022229a 发表于 2024-7-24 16:00
4 P# r1 o% k  z& ^感谢上面的表格说明。
9 j( ?; E+ T, n) i8 T' J) h我在捋一下，如果是针对芯片的bump pad处理，SOP 一般就是针对Solder bump （C4技 ...

% O* c7 M0 D5 R. E9 V/ a; J设计上可以适用（基板PAD参数需要同bump参数互相适配），但是建议综合考虑，可以参照附图

Dc2024022229a

星期三小子 发表于 2024-7-23 12:34
可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min ...

, x3 {9 F& s& V6 Y! u感谢上面的表格说明。
我在捋一下，如果是针对芯片的bump pad处理，SOP 一般就是针对Solder bump （C4技术），如果是Pillar Bump就是C2技术。


我想问的是FC的基板，pad 上如果是SOP加工处理了，那芯片的Solder Bump 或 Pillar Bump 都适用吗？
( x5 m; c  X" ?4 q9 k5 L
$ D% F  ]. c2 P, @- I4 u8 {

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星期三小子 发表于 2024-7-23 12:34
! c& R5 U) j6 m& B, z* w可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min ...

4 |2 `+ U, y& O! w# O6 V  {. U. k, K好的  感谢感谢

星期三小子

17794208985 发表于 2024-7-23 09:10
大佬，请问下，那sop可以用在C2上吗？比如FC 形式的 bump pItch间距110um或者更小的话，bump中间做不了绿 ...

可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min=150um，也就是说小于这个值就需要用C2了；
+ H# i& ]+ m! X; b同时C4和C2需要的开窗尺寸也不同

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星期三小子 发表于 2024-7-23 09:09
参照3楼描述

9 |* C4 W) b- G& K0 j& v7 P! v嗯嗯  谢谢  看到了  sop那里有个H，那SOP是不是只能应用在C4上？C2上可以用吗？
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星期三小子

星期三小子 发表于 2024-7-23 09:09
# z6 n1 _6 |! @" J8 ^$ L参照3楼描述

说错了 是2#

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Dc2024022229a 发表于 2024-7-23 09:03
% N& E* D' Q* T; G& F0 J, {SOP工艺  Solder On Pad，一般是FC Chip使用，基板的Pad上通过植球，然后压扁成型，形成Solder Bump，便于 ...

大佬，请问下，那sop可以用在C2上吗？比如FC 形式的 bump pItch间距110um或者更小的话，bump中间做不了绿油桥，能继续使用SOP吗？就是想了解下这两种工艺的应用场景，谢谢

星期三小子

17794208985 发表于 2024-7-23 09:04
3 _' Z* A0 F: f9 K) y这个很明显不对，sop解释为了作业指导规范，不是表面工艺处理，网上找了好久也没找到

, `! ]' m& K. ]1 b2 R7 \/ N! A$ S参照3楼描述

17794208985

Getaway 发表于 2024-7-22 18:32

这个很明显不对，sop解释为了作业指导规范，不是表面工艺处理，网上找了好久也没找到

Getaway

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