为什么PMOSFET _SI4435做开关12V可以，5V的驱动能力就不行

iuven · 发表于 2012-8-2 20:52

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之前一直用来做12V 的开关从来没有问题，但是现在用来做5V的开关，当电流>1A时，这个管子的压降会很高（约1.3V）。麻烦各位高手帮我看看，是什么问题？

timerc · 发表于 2012-10-8 09:41

PMOS不是负压驱动么

kingsr · 发表于 2012-10-4 12:47

很明显,门极驱动电压不够高,RDS内阻高,电流一大,压降大,发热.把门极提高至少到10V

xin_515 · 发表于 2012-9-29 17:46

当电压接近开启电压时，管子没有完全导通，导致压差较大。

xiaodao77 · 发表于 2012-9-29 17:09

下面那个MOS没必要用的一个三极管就OK了

killerljj · 发表于 2012-9-10 22:02

要减小inrush 电流，把r16换成100k，把R20换成0.1uF电容试试。

xin_515 · 发表于 2012-9-10 16:55

同样的电路若是12V就可以的话，只能说明开关VGS之间的压差太小，没有使管子完全导通，建议换一个其他型号的管子试试。

klee24 · 发表于 2012-9-10 14:39

3,4脚的压差不够

klee24 · 发表于 2012-9-10 14:36

3脚和4脚之间的电压低于3V的话输出的电流时不足以驱动负载的，亲

qsliu · 发表于 2012-9-3 00:07

直接短路Q1的 S 、D引脚看是否正常，如正常，说明为Q1驱动的问题

iuven · 发表于 2012-8-29 13:22

后来发现，此电路 MOSFET的后级在电压上升的过程中会出现一个台阶。估计和Mosfet有关系

iuven · 发表于 2012-8-24 21:21

34052762 发表于 2012-8-20 22:20 & S; T( `5 v$ f
同意，我也没见过用MOS管控制的，我见到的开关都是三极管控制MOS管的。

我尝试更换成BC817试了一下，问题还是存在，最后决定弃用此方案。问题应该是在整个电路的时序上，导致控制信号出现问题，而并非在此部分的电路。最近实在太忙，所以没有时间去认真分析此电路。等以后有时间再仔细分析一下。

leavic · 发表于 2012-8-24 16:47

Q1没有完全导通。

34052762 · 发表于 2012-8-20 22:20

0601 发表于 2012-8-4 15:23 # `0 P6 j+ d q; i' J# R. n
下面的mos管最好换个三极管驱动，注意基极那两个电阻的大小。另外在三极管的集电极和上面的mos管之间再串一 ...

同意，我也没见过用MOS管控制的，我见到的开关都是三极管控制MOS管的。

willyeing · 发表于 2012-8-13 10:36

我在设计时如果5V切换，绝对不会用4.5的管子，一定会留有相当的余量，如果我选肯定选2.5V以下的管子。

willyeing · 发表于 2012-8-13 10:31

iuven 发表于 2012-8-13 09:09 5 E7 _% ^$ c$ ?( Q- b0 I3 K: W
这位仁兄分析的很正确，我个人认为12V的时候也会存在电压的下来，只是此管子的导通压降为4.5V，并不能导致 ...

建议换2.5V的VGS,不要用4.5，已经在临界，很危险的。

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