为什么PMOSFET _SI4435做开关12V可以，5V的驱动能力就不行

rongzhai

电流1A，管子压降1.3V,Rds=1.3欧姆，这个不太可能啊，Rds一般是毫欧级别，除非有高频干扰过来，使管子工作区域不在线性区，你需要测试一下S端和D端的波形

shw_2014

应该是你的MOS管控制电压达不到，MOS管处于饱合状态。
Q1改为三极管，R128改为100K，下面再串一个电阻到三极管集电极（现在在板上面调试不串也行，再改板的话最好串一个1K电阻），控制端电压3V的话，R20可换成20K，这样应该就可以了！
1 K2 p4 S& F1 V( j( R, q

qiangqssong

这个估计是MOS管Vgs间压差影响的原因,楼主可以查查MOS管的SPEC

maxiaohua_2000

应该将R128电阻加大

jacklee_47pn

樓主你的問題解決了嗎?  依照你的電路做了仿真，有直流分析和時域分析，看起來都OK。
是不是元件樓主你的有問題?

willyeing

LZ,那个Q1的mos可用NPN小信号三极管代替比如2SC1815等。那个SI4435,它的UGS的要求是超过4.5V,你5V用它切换，UGS选的过高，可以选2.5v的，这样就很好了，12v，用AO3415就够了或si2301cds.

iuven

jacklee_47pn 发表于 2012-8-10 10:07
樓主你的問題解決了嗎?  依照你的電路做了仿真，有直流分析和時域分析，看起來都OK。
是不是元件樓主你的有 ...

最后量了一下波形，发现是由于电流瞬时过大，导致5V拉底，绿色为5V，紫色为U30的控制管脚的型号。U30的控制脚信号出现问题。

iuven

willyeing 发表于 2012-8-10 11:56
) {- H8 x" C( X, ALZ,那个Q1的mos可用NPN小信号三极管代替比如2SC1815等。那个SI4435,它的UGS的要求是超过4.5V,你5V用它切换， ...

3 g+ X4 k, o4 X* M& w  z( Q5 B这位仁兄分析的很正确，我个人认为12V的时候也会存在电压的下来，只是此管子的导通压降为4.5V，并不能导致其截止。还有我的系统在U30导通后电流瞬间会由0.2A左右直接的1.1A，这样会导致5V被拉底0.5V（甚至更多），目前我在U30的后继增大电容，测试下拉的压降会小一些，但此问题还存在。不知道各位高手有没有解决这种瞬间电流增大，导致电压下拉的好办法。

jacklee_47pn

建議樓主在 PMOS 的輸入端 (不是輸出端喔) ，要放置 22UF 以上的電容器，防止瞬間源頭被抽大電流造成降壓。

willyeing

jacklee_47pn 发表于 2012-8-13 09:16
; M  c5 O& }2 ?8 V建議樓主在 PMOS 的輸入端 (不是輸出端喔) ，要放置 22UF 以上的電容器，防止瞬間源頭被抽大電流造成降壓。

; e2 g4 W$ ]5 J  ?( [7 q版主正解！

willyeing

iuven 发表于 2012-8-13 09:09
这位仁兄分析的很正确，我个人认为12V的时候也会存在电压的下来，只是此管子的导通压降为4.5V，并不能导致 ...

建议换2.5V的VGS,不要用4.5，已经在临界，很危险的。

willyeing

我在设计时如果5V切换，绝对不会用4.5的管子，一定会留有相当的余量，如果我选肯定选2.5V以下的管子。

34052762

0601 发表于 2012-8-4 15:23
下面的mos管最好换个三极管驱动，注意基极那两个电阻的大小。另外在三极管的集电极和上面的mos管之间再串一 ...

9 e% a, M* u+ J1 W5 i$ W同意，我也没见过用MOS管控制的，我见到的开关都是三极管控制MOS管的。

leavic

Q1没有完全导通。

iuven

34052762 发表于 2012-8-20 22:20
同意，我也没见过用MOS管控制的，我见到的开关都是三极管控制MOS管的。

我尝试更换成BC817试了一下，问题还是存在，最后决定弃用此方案。问题应该是在整个电路的时序上，导致控制信号出现问题，而并非在此部分的电路。最近实在太忙，所以没有时间去认真分析此电路。等以后有时间再仔细分析一下。