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本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑 4 h9 @9 a4 B( d( n$ n4 c; `! H
N+ T6 i& k% H+ m- \$ i! W0 p先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试
6 d. h! m2 k, l: t
$ T; |& X* H& M6 t N
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变 0 A+ }4 R/ U. k0 Q2 n
! f& \" K: d; [+ D }6 ]
! W! s0 M3 z4 ^" \# f9 w8 V/ E' O7 j( t! ?% k/ Y. x' t$ a! O
6 A3 r# T# T# o
如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU
$ k) `9 u, S7 e" i! F1 ?跟RF主频 产生2阶交互调变
. f6 }" Y7 h& F0 g( m J. [(RF +- 32.768kHz)
2 {' v- z9 U5 E( E/ B& V就会出现你所说的
2 X( ]7 Z. J7 i“杂散分布在主频信号的两边”6 q3 ~; p& ]/ Q7 O
! i, M, m! X3 C6 |3 _8 [3 P
; n6 ]* h/ o+ i要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小+ C7 \1 T5 b* ]* D) J! B
看杂散是否也跟着变小 ]* t9 C; c& Z2 y; Q/ |% i
如果是 那就八九不离十了
' A* `3 ~: ]" z8 T0 r: @4 @/ I, S因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系
' ~+ [) J; p3 i7 | k! Z, f* @9 ^; L2 p Y6 K, C
% Y# C+ p. n/ W/ h! d$ n8 U+ v, G* q/ e' C5 D+ k' N7 U3 |# b
此时可能有人会提出两个疑问
2 u9 v2 C+ |$ ^' V0 d# v( Z% s! R! u& d8 s* T
第一个疑问 电容不是隔直吗?
6 Z& f) B: e) Y: J e, d \+ Q32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?
2 W! |& w6 @7 Q6 S' p; U" X, T" s/ @
答案是: 当然流得过 只要电容值够大# K( M5 {" R8 y, v
来做个仿真
' {6 c6 P2 u, t1 s) T; L; m- b/ U+ @) H
8 N' N) a8 e2 s. c+ d. i. O: g
o7 S: f. y/ z5 C+ h9 R R) a8 W6 B: [4 ]
2 S( _. d0 V4 [6 E S
# L5 H" c4 @- A4 n/ y- ]+ n) ^
2 {' t, z0 ~# t# D1 e( s+ U' Q6 e: I, A, }
该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用
1 Y8 Z" Z0 ?7 a1 g Z但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号
4 d* S& U1 i3 B只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低1 C7 v. k1 S( z! ?' Z
对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过$ p1 b6 j! w* Y# }
# Q% T3 {4 X8 N/ y' J
( Z+ P' |" H) e! T4 b
第二个疑问 任何讯号 包含噪声. Y, P/ @- w. I) ?3 w
肯定是高阻抗流向低阻抗1 v% u) t" Q3 ]! d% R% A3 U# P* y! f
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?
. R1 _: Q! L# z- g0 o4 l! b! u; C# d0 ^
0 S! H# h4 L5 Z, E" z: r6 s答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了
. R% s, u8 v* V& [
4 q6 i+ |6 C) x8 ]2 B3 H. {+ r9 @7 r2 W. l' x9 J1 z
2 _# A' f1 i% l" I
/ G8 u! ]- X7 }3 M
首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容
+ L& U1 |# ]0 Y( H# x5 M等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式
7 Q; d+ r+ K: u9 b' h0 T; W9 f2 @3 z( J2 E b
% Q; {& p# k7 R* ]6 w, {) V
3 X/ S" ~0 R( v9 F
! F2 B! q4 R+ [8 k0 a
0 D: `# U4 Z% r. s6 [: g电容性增大 其阻抗就降低
% M: c+ }. b+ a3 E. X9 E( p如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多
0 M5 [6 ]8 }8 [' Z
! K- W0 ]: ^; w, O O% l+ y2 ?2 ^! `' Z1 X, ~9 @
再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联2 M, Y$ Z9 v# _6 p
而电容是越并越大4 R. ]- s H7 W) d0 O
; {% ?) l; ?% j, l! S" \. z/ j
8 G8 j+ o* b" ]
- \1 F( U1 ^8 _4 [2 J6 Y# U1 M
9 A ~! N5 g" H9 i8 T9 O
5 u; ^; }3 h( D& b: _% j; k& w1 V如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗
3 t" q+ a$ d: [$ J+ @! ?
& r9 B* G2 g G再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制9 o) z2 s+ p- }- P) H6 T8 `
很可能GND是极为零碎的 且面积也不大
* ?2 u, q( X; k# B同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔
* r' ^! Q" n8 Q% m) I这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低
- [$ O7 @4 K% ?! x6 k" l甚至有可能比电源走线还高$ Z* l) s9 S/ F, E; T% [$ A+ I$ `
如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生) o2 }) a% h4 f- ?
C* Q3 R% c" v, \: D
因此 一开头才说 拔电容试试3 L2 i# L- q9 w& n4 q6 y0 ~2 C
: o) B* Q8 F& k8 }4 z1 _! m
: T$ c" ~9 z2 n( q8 r |
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