|
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
大家好!最近做了两个DDR3的板子(方案是全志A10,都是四层板):一个是四' F3 H! q& m. T5 r' N ?
; T" \1 j* G# I6 ]. X, h颗DDR3(128*8);一个是两颗DDR3的(256*16)。两个案子DDR3的主频跑到336M左
* P' m! u5 L+ U3 N
8 t1 W$ ?2 O& O, e/ l" X) F# B# t右就跑不上去了。板子的走线情况如下:, b! j# A9 `, _) r0 ?
1、信号线有做等长控制(最长减去最短的):数据线公差1mil;地址、控制线
% z4 s1 s1 [ n* f* ^! c# @5 K
. ~% v9 j5 w% N q) V% D 40mil
6 i& P8 S1 p. ]! u: B" [: w3 l+ j2、有做阻抗控制:数据线、地址线做50欧姆单端阻抗控制;差分线做100欧姆阻 * A* O, r7 |3 e2 d- U; R
, ~0 r* X6 J: t& D. _
抗控制
, n- j* O, g5 [, l3、数据线线宽5mil,线距6mil以上;地址线线宽5mil,线宽5mil以上
9 m z- ^6 c/ d; k9 f5 N4、两颗DDR3:数据线总线长838mil;地址线总线长1430mil。四颗DDR3:数据线
{# ]/ ~) N8 S2 o
?2 w5 ~) K$ q! g. B 总长1100mil(将过孔等效线长计算在内),地址线总线长2500mil% K- I a' d" Q& G$ p8 p5 }* C' D
5、走线在表层,第二层为完整的地,第三层为电源,第四层的DDR3走线参考第
; \' M" q& E& J/ y c5 Q
# k; m& I7 u& |* l5 R6 j8 i, ? 三层的1.5V(DDR3供电电源),DDR3信号没有跨越电源分割平面。
5 w2 Y- H, K7 @! ? v, U 请有经验的大侠分析一下这两块板子跑不上高频可能是哪方面的原因,也请分2 K) W5 O* s4 n. k; {
' c3 @: c+ I( Y7 @: v% h享一下DDR3这一块走线的经验和方法,在此先谢谢各位了!!!% Y. Y, H3 i6 e. k6 Q: W
" g# x! x7 O( h
|
评分
-
查看全部评分
|