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DDR3板子跑不了高频

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发表于 2012-3-15 11:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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大家好!最近做了两个DDR3的板子(方案是全志A10,都是四层板):一个是四' F3 H! q& m. T5 r' N  ?

; T" \1 j* G# I6 ]. X, h颗DDR3(128*8);一个是两颗DDR3的(256*16)。两个案子DDR3的主频跑到336M左
* P' m! u5 L+ U3 N
8 t1 W$ ?2 O& O, e/ l" X) F# B# t右就跑不上去了。板子的走线情况如下:, b! j# A9 `, _) r0 ?
1、信号线有做等长控制(最长减去最短的):数据线公差1mil;地址、控制线  
% z4 s1 s1 [  n* f* ^! c# @5 K
. ~% v9 j5 w% N  q) V% D 40mil
6 i& P8 S1 p. ]! u: B" [: w3 l+ j2、有做阻抗控制:数据线、地址线做50欧姆单端阻抗控制;差分线做100欧姆阻 * A* O, r7 |3 e2 d- U; R
, ~0 r* X6 J: t& D. _
  抗控制
, n- j* O, g5 [, l3、数据线线宽5mil,线距6mil以上;地址线线宽5mil,线宽5mil以上
9 m  z- ^6 c/ d; k9 f5 N4、两颗DDR3:数据线总线长838mil;地址线总线长1430mil。四颗DDR3:数据线
  {# ]/ ~) N8 S2 o
  ?2 w5 ~) K$ q! g. B  总长1100mil(将过孔等效线长计算在内),地址线总线长2500mil% K- I  a' d" Q& G$ p8 p5 }* C' D
5、走线在表层,第二层为完整的地,第三层为电源,第四层的DDR3走线参考第  
; \' M" q& E& J/ y  c5 Q
# k; m& I7 u& |* l5 R6 j8 i, ?  三层的1.5V(DDR3供电电源),DDR3信号没有跨越电源分割平面。
5 w2 Y- H, K7 @! ?  v, U  请有经验的大侠分析一下这两块板子跑不上高频可能是哪方面的原因,也请分2 K) W5 O* s4 n. k; {

' c3 @: c+ I( Y7 @: v% h享一下DDR3这一块走线的经验和方法,在此先谢谢各位了!!!% Y. Y, H3 i6 e. k6 Q: W
" g# x! x7 O( h

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发表于 2012-6-11 10:02 | 只看该作者
DDR3 也不是50 Ohm啊? Intel的PDG里面DQ、地址等外层是40 Ohm ,内层是38 Ohm。而且差分信号也是用单端50 Ohm来控制的,间距是5mil就可以。仅做参考,最好仿真一下

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发表于 2014-11-24 22:06 | 只看该作者
感觉地址线最里一根和最外一根应该差很多长度,没看见哪里有绕等长。另外为什么要用圆弧,这样对线间距很难掌控,而且浪费空间。能不能调整下布局,把平行一直线的DDR3做成下图的形状。# K9 t, F  a, w1 a/ c0 l/ O0 {4 R

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发表于 2014-11-23 13:19 | 只看该作者
楼主最后改好了没有啊

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25#
发表于 2012-6-24 14:32 | 只看该作者
本帖最后由 ppw2005 于 2012-6-24 14:35 编辑
' m- A( X; A& C
part99 发表于 2012-3-16 08:39
" n( V( x2 e% M2 u看得出来,这是一个layout高手的杰作,走线布局都和规范,提出的问题也很详细,也有比较全的图让人去分析。 ...

4 X: p( [5 P$ ?& N' F% R+ h* L6 z/ x& Q8 b
不好说,引影DDR3板子跑不了高频,或数据量大出现问题,有很多地方是要注意的,一是电源带载能力和纹波,能不能满足,具体要测试才好说,二是等长的问题,三是时钟线差分的问题,4是阻抗匹配的问题,以上可能通过测试看波形得出结论.我以前调过有电源载能力和纹波的问题,还有就是阻抗匹配的问题。等长和差分其实是很好控制的,板子规则设置下就好了。以上所有问题可以通过示波器按DDR3通迅协议就可以抓出来,光看板子看不出什么的,具体要实测。

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24#
发表于 2012-6-12 16:14 | 只看该作者
学习下

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23#
发表于 2012-6-12 15:18 | 只看该作者
强烈建议楼主把PCB发上来,问题迎刃而解。怕泄密的话,把其他电路删除即可!再说了,三星DDR我们都看过,你也不要太在意!

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22#
发表于 2012-6-12 13:18 | 只看该作者
学习

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21#
发表于 2012-6-11 17:53 | 只看该作者
有可能是软件的问题哦!如果你提到的那几点你都做到了,那么软件就要注意分析下了!我们之前的一款产品就是软件上调整的!

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20#
发表于 2012-6-11 17:53 | 只看该作者
首先说下,既然是放上来大家分析,那就不要吝啬的只做截图上来,把文件传上来,大家才能具体的看看分析,截图看不到等长做的如何,第二,布局和走线如此的漂亮是有很深的功力,但频率跑不上去,建议还是在仿真上多下点功夫,JEDEC里面DDR3的走线仿真与眼图,终端阻抗匹配这几个都要进行调试。LAYOUT 这方面基本经验很丰富的话,都可以走线完美,但是其它方面更应该是重点对待。

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19#
发表于 2012-3-30 18:04 | 只看该作者
alee_love 发表于 2012-3-16 10:01   S% @# w+ N  H0 n) {
在JEDEC标准中DDR3的拓扑结构是fly-by,T型拓扑在amlogic的aml8726-m3中有用到,也是DDR3的,在这个方案中 ...
% G& B- |9 I/ ^# M; N; ~3 r# k
有仿真嗎?這種設計應該要用仿真確認才比較理想。: ~3 N9 B- K6 R$ Y$ ~
DDR3 用 T 結構,兩顆 DRAM 等長,應該還是可以,不過 Fly-by 會好些吧。& V. I+ m8 n" T' @, H: m0 z# F
不過不只阻抗控制就好,也要注意傳輸線的匹配。

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18#
发表于 2012-3-30 14:39 | 只看该作者
地址线和控制线要有终结电阻。4颗的最好用菊花链拓扑。

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17#
发表于 2012-3-21 13:38 | 只看该作者
1,拓扑结构有问题,应采用菊花链。板上不是菊花也不是T形。
3 B  {, \3 I4 ?, i% ]/ i3 H2,3w没做到% u/ \" O6 a$ _) T7 Q% \* u: e
3,误差太大,应控制误差为:数据5mil,地址25mil$ S: W; m; ~' _* ~- c  ~6 Z& W
4,数据线没有高低位分开

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16#
发表于 2012-3-21 11:15 | 只看该作者
学习了,还是多看些DDR规则方面的资料

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15#
发表于 2012-3-17 17:17 | 只看该作者
把DDR部分的文件传上来找大师帮你点评哈

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14#
发表于 2012-3-17 07:55 | 只看该作者
没有找出原因之前,建议不要乱改设计。应该找个示波器看看,应该按顺序看下面的参数:时钟的眼图和抖动;地址控制线的时序,DQS/DQ的读和写的眼图和相对时钟的时序,主板应该跑到最大能过的时钟来测,一定可以看出问题。
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