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楼主: alee_love
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DDR3板子跑不了高频

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16#
发表于 2012-3-17 17:17 | 只看该作者
把DDR部分的文件传上来找大师帮你点评哈

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17#
发表于 2012-3-21 11:15 | 只看该作者
学习了,还是多看些DDR规则方面的资料

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18#
发表于 2012-3-21 13:38 | 只看该作者
1,拓扑结构有问题,应采用菊花链。板上不是菊花也不是T形。0 N/ R8 D% i+ u! a
2,3w没做到
$ {6 l* O8 `1 M8 t9 ~3,误差太大,应控制误差为:数据5mil,地址25mil
: m" ?0 F: u7 E' {* R4,数据线没有高低位分开

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19#
发表于 2012-3-30 14:39 | 只看该作者
地址线和控制线要有终结电阻。4颗的最好用菊花链拓扑。

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20#
发表于 2012-3-30 18:04 | 只看该作者
alee_love 发表于 2012-3-16 10:01 6 y, H0 E; k0 w" Y% N8 R5 s8 V$ o+ Q
在JEDEC标准中DDR3的拓扑结构是fly-by,T型拓扑在amlogic的aml8726-m3中有用到,也是DDR3的,在这个方案中 ...

0 o8 a8 a. b6 i$ i9 @0 W2 e有仿真嗎?這種設計應該要用仿真確認才比較理想。
& \9 Z4 K. N+ e; @9 M+ uDDR3 用 T 結構,兩顆 DRAM 等長,應該還是可以,不過 Fly-by 會好些吧。* L( n: t) X- v1 U! m% E" {$ x
不過不只阻抗控制就好,也要注意傳輸線的匹配。

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21#
发表于 2012-6-11 10:02 | 只看该作者
DDR3 也不是50 Ohm啊? Intel的PDG里面DQ、地址等外层是40 Ohm ,内层是38 Ohm。而且差分信号也是用单端50 Ohm来控制的,间距是5mil就可以。仅做参考,最好仿真一下

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22#
发表于 2012-6-11 17:53 | 只看该作者
首先说下,既然是放上来大家分析,那就不要吝啬的只做截图上来,把文件传上来,大家才能具体的看看分析,截图看不到等长做的如何,第二,布局和走线如此的漂亮是有很深的功力,但频率跑不上去,建议还是在仿真上多下点功夫,JEDEC里面DDR3的走线仿真与眼图,终端阻抗匹配这几个都要进行调试。LAYOUT 这方面基本经验很丰富的话,都可以走线完美,但是其它方面更应该是重点对待。

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23#
发表于 2012-6-11 17:53 | 只看该作者
有可能是软件的问题哦!如果你提到的那几点你都做到了,那么软件就要注意分析下了!我们之前的一款产品就是软件上调整的!

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24#
发表于 2012-6-12 13:18 | 只看该作者
学习

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25#
发表于 2012-6-12 15:18 | 只看该作者
强烈建议楼主把PCB发上来,问题迎刃而解。怕泄密的话,把其他电路删除即可!再说了,三星DDR我们都看过,你也不要太在意!

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26#
发表于 2012-6-12 16:14 | 只看该作者
学习下

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27#
发表于 2012-6-24 14:32 | 只看该作者
本帖最后由 ppw2005 于 2012-6-24 14:35 编辑
$ d, {/ m6 I$ m7 G
part99 发表于 2012-3-16 08:39
, F  q7 ~' v% p% Q* X2 e+ I看得出来,这是一个layout高手的杰作,走线布局都和规范,提出的问题也很详细,也有比较全的图让人去分析。 ...
! ?' Y- Q( K  \' b- w

" |$ S+ W  X) n' G3 v( b* X不好说,引影DDR3板子跑不了高频,或数据量大出现问题,有很多地方是要注意的,一是电源带载能力和纹波,能不能满足,具体要测试才好说,二是等长的问题,三是时钟线差分的问题,4是阻抗匹配的问题,以上可能通过测试看波形得出结论.我以前调过有电源载能力和纹波的问题,还有就是阻抗匹配的问题。等长和差分其实是很好控制的,板子规则设置下就好了。以上所有问题可以通过示波器按DDR3通迅协议就可以抓出来,光看板子看不出什么的,具体要实测。

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28#
发表于 2014-11-23 13:19 | 只看该作者
楼主最后改好了没有啊

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29#
发表于 2014-11-24 22:06 | 只看该作者
感觉地址线最里一根和最外一根应该差很多长度,没看见哪里有绕等长。另外为什么要用圆弧,这样对线间距很难掌控,而且浪费空间。能不能调整下布局,把平行一直线的DDR3做成下图的形状。' p/ A0 z, z  ?; G+ N9 j
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