RX线下方挖一层是为了降低寄生电容？

jack_are

之前看过一文章，RX线下方挖一层是为了降低寄生电容，可以在同等阻抗的情况下拓展线宽，降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN，走线却不挖，走线也就是到BGA的线为什么不挖呢？
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第六天魔王

学习了，从52RD看到电巢

criterion

BGA到焊盘这段走线   是不能挖空的
因为为了方便出线   所以这段的线宽   会极细
意味着阻抗已高于50奥姆
  M# |3 [% t  k) u+ c如果这段走线下层挖空   但线宽又无法拓宽(不然会无法出线)
那么已高于50奥姆的阻抗  会变得更高  更远离于50奥姆
你RF性能只会更差
3 K2 @  `* v$ ]! g
: p9 `7 n$ U& `: f* _' ]换言之  这段走线  只能牺牲阻抗来配合BGA出线
因此多半都很短   也就是零件都紧挨着收发器
/ H3 x1 U5 N2 G1 e% t, @" E

4 j3 H& @, [7 Y3 e! H再来    如果是其他区块的RF走线
6 X$ y* b( {: g* E7 J6 L" Y; W在维持50奥姆阻抗情况下   
挖空固然可以藉此拓展线宽  进而降低损耗
但
& ~+ `% @3 q/ A; B* x寄生效应不一定降低
( N& {5 H8 d* A, I  F4 Z原因是   寄生电容  不只跟距离有关  也跟表面积相关
8 S- f) O, ^/ [/ l. A, i+ u2 g
1 @" q8 w7 j' O
1 ]9 i0 a5 I% E( ~你现在拓展线宽  等同表面积增加
好啦  距离增加(挖空)   但表面积也增加(拓展线宽)
: K5 @8 b6 I9 U5 R3 y那整体寄生电容  到底增加还减少?
所以我才说不一定  要计算才知道
甚至有些PCB的迭购   计算后会发现
在维持50奥姆阻抗情况下   挖空 + 拓展线宽
" s* q$ J# q. H0 ?4 Q& a: |寄生电容反而还略增加咧
+ s% }8 \5 T4 j& y2 b3 V& J. r
* T6 n0 ~- t2 E% }
' h" X  m! t8 e$ c# `# R$ y! E而0402焊盘   因为宽度会远大于50奥姆线宽
换言之  其阻抗肯定远小于50奥姆
因为焊盘大小不会变   所以如果挖空
可以使其远小于50奥姆的阻抗提高  更接近于50奥姆
$ `/ l* ]  `- @+ u! W) @! y9 {同时也可以降低寄生效应 (因为只有距离增加  表面积没增加)

5 P/ @$ t$ g* Y" m所以  做个小结
8 p7 L% ?/ P& _- q: I
1.        BGA到焊盘这段走线   不能挖空   
2.        其他部分走线  在维持50奥姆阻抗情况下   
        挖空可以降低损耗  但寄生电容未必增加或减少  
3.        0402焊盘  挖空可以让阻抗更接近50奥姆  同时降低寄生效应
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qibenxiajiang

我理解的：
线宽要保证一致，阻抗连续的问题，且尽量粗，也就是降低插损，还要做阻抗控制；
BGA出线限制了这部分的走线线宽，还要做阻抗控制，走线层到临层介质的厚度应该是相对薄点的，并且这部分参考不能挖，不然阻抗没法控制；其他部分结合阻抗、线宽、阻抗连续的要求，就需要挖掉临层来增加介质厚度来满足阻抗要求。

niubility

线宽小的走线不要挖，这需要根据计算的，是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

tick_tock

我觉得是0402焊盘宽度比较宽，如果要做阻抗，就必须挖层才能满足阻抗。

VIC56

寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。

Crash

因为器件在高频电路中还有一个等效电路，而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
寄生电容就是两个极板的面积成成比，两个极板的间距成反比，
这样在增加了面积后，而为了保证寄生电容不怎么变化，只有增大两个极板间的间距。