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亚微米CMOS工艺制程技术流程

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发表于 2022-10-10 13:23 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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1. 衬底选材
- p4 n4 ?, K, L/ H& _2. 清洗
8 A) i% I1 Y2 R/ q% Z; N( P3. 生长初始氧化硅6 s% i$ {* a& B1 ]4 B: Z+ I
4. 晶圆刻号
* }! O) B3 \& L, A- P9 |5. 清洗  a: J+ M- E9 x( b! d" W
6. 第零层光刻处理
7 u; M) P3 }' D; ^0 W( K7. 第零层刻蚀处理
. T) [5 v3 g2 t; w8. 去光刻胶
9 V- u5 e7 d8 N; o7 W5 Q# @9. 去除初始氧化层- v) y1 n. S( N
* f- p1 G9 _( P4 h

0 t1 B! n* ^0 [3 }4 R2 V4 F+ r
" O6 f5 j$ F/ U6 Q) k" C  ^

8 a) S1 t1 H; a
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    [LV.10]以坛为家III

    3#
    发表于 2022-10-11 11:46 | 只看该作者
    不错不错,很是专业和深度,内容全面丰富,学习下
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