|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。
, [: D$ [/ N) i- H0 ~/ O4 N+ ^( C5 F3 q
; e+ u! K) K( m# J1 Y2 D, r1.如传统的N MOS 器件 我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和 参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度， 这样以来 算电子和空穴 用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的， 所以 电子和空穴的有效质量不同 就在于 与 电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？
4 Y6 \" m" i% C/ A. K* W# q; H4 o( t" w
2.我们平常用的mos器件 实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
+ B4 l3 ~3 P2 i# o, e同等参杂浓度的衬底， 一个是p型 我们用其中的少子电子导电
; x% I- i* }0 | h0 X; Z 一个是n型，我们用其中的多子电子导电- q$ @6 P) @3 }9 F$ W
) r4 S, c; {+ ^+ x$ v1 J/ A
直观上看，后者电流应该大
: c: S9 X' e) |; |% ~, T
5 o$ I# T; m: Q* Q% f但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高 怎么计算？？" W* c; Q5 [4 D9 v/ u X
|
|
/1 
发表于 2022-9-27 13:17
收藏
淘帖
支持！
反对！