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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-7-1 18:37 编辑 ( _. J7 G. v1 P v
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) a# i1 d. |" \: N9 g) i4 UMOS管电平转换电路
: V: T2 N/ z# p0 s( M/ c电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。
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上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路,实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件,也有5V的器件,通过这个电路,大家就可以愉快地玩耍聊天了。
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6 _, L4 j6 y9 F Y2 m/ x( q实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆,可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下,我喜欢用阻值更大的电阻,因为功耗更低更省电。
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原理分析* T7 _7 H7 d6 M) s5 F8 t5 N& Y, s
简化来看,留下I2C的一根线来分析就可以了,如下图。' L5 b- `- y+ \, F0 h% L
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1 y; |8 B2 F8 c1 y分四种情况:1 X0 ?2 b$ I( A
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1、当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管关闭,SDA2被电阻R3上拉到5V。# c* I6 l- V6 p; t
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2、当SDA1输出低电平时:MOS管Q1的Vgs = 3.3V,大于导通电压,MOS管导通,SDA2通过MOS管被拉到低电平。
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3、当SDA2输出高电平时:MOS管Q1的Vgs不变,MOS维持关闭状态,SDA1被电阻R2上拉到3.3V。0 z9 K8 I) J8 u7 V
1 l+ x J k+ X( m* s* ~9 C5 m4、当SDA2输出低电平时:MOS管不导通,但是它有体二极管!MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,MOS管导通,进一步拉低了SDA1的电压。; X( z4 @* v) G! ~' e. U3 |; @" ^
6 r. L* E& e/ P' T( o7 Z注:低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件,其高电平为等于或接近3.3V;5V电压域的器件,其高电平为等于或接近5V。# V0 C7 }' @3 I% K
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具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的,常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平,0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。也就是说“芯片供电电压”为5V的时候,5 x 0.3 = 1.5V 以下为低电平,5 x 0.7 = 3.5V 以上为高电平。
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0 Z' ^! O& N5 J9 A( j9 p某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明
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2 q. X$ [5 s# ?0 T/ \* x' \! [6 c1 Z m2 A" V9 `& b! `5 O
注意事项5 M* P B( O: I1 H
以上是3.3V与5V之间的情况,如果换用其他电压域之间的转换,如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间,需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。
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+ x; }8 ~+ Z* X2 h给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏!给过低的Vgs会导致MOS管打不开!不同型号的MOS管这个参数值还不一样!!!' |$ ?$ ~8 n' p9 ^ u+ V( c6 F
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( M' X" ~- l+ o% _' V举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs不能超过正负20V
# U8 k3 z3 l& o' t0 _再来看一下,设计电路时Vgs可能设计过小的情况,下图是2N7002的数据手册:
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举例:其中一个厂家生产的2N7002的数据手册,Vgs的开启电压为1V' }/ ?: w3 E3 |( M
实际使用时为保证完全开启、完全导通,设计上要多预留余量,比如实际电路中Vgs起码给到1.8V。因为1.8V的设计参数接近数据手册标注的1V临界值,尤其注意用实验验证,确保万无一失。+ O7 X) |1 K+ i* o: g+ Q7 R7 A: U4 y
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总结
. x. l' X5 I8 |3.3V跟5V互转的电路已经是一个经典电路,实在是硬件设计师居家旅行、护院看家,必备良药!MOS管型号就记住用2N7002,这个型号便宜,性能久经考验,不像有些MOS管外型看起来跟2N7002一样,但实际是大功率的,有部分性能规格浪费了,有部分性能规格又不一定能满足需要,主要是还贼贵,具体其他MOS是怎样的这里就不细究啦。
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