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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。
! o1 s9 ?+ j, {" s" L. K# Z
0 _, v+ E3 @, D& c- E2 Y! F1 R9 F2 M60N10参数描述
, t: O3 v0 g% R( A3 v& F型号:60N10; d+ ?( Z% I6 Y1 z
封装:TO-263
* F2 e4 p, |; F& R0 b6 B! b+ }特性:大功率MOS管! b5 r3 B9 O) X6 p6 y. v
电性参数:60A 100V
& u, ~4 F8 j$ N  j" O3 e$ F栅极阈值电压VGS(TH):4V+ m, o3 y$ r/ f0 J; X! L
连续漏极电流(ID):60A
& W: M- D( Q  G% F& E9 l) W功耗(PD):160W- J* l# @% S2 U
二极管正向电压(VSD):1.2V" G# N3 p* y8 ?/ w6 d2 Q. m
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
1 F% S/ \# D* m1 u" C/ Y零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA8 z1 P  p7 V* {, @5 b( E
反向恢复时间(trr):35nS  f+ n" D# g! I  b
输出电容(Coss):182.5pF, R. z2 X7 {8 z6 m' F( `
贮存温度:-55~+175℃! H6 U. i& H1 m/ V- g9 E8 t
引线数量:39 E- Z9 F/ h; U, Y
' y, F. L& s8 R1 V. `
大功率MOS管60N10的检测方法:  R7 x  c& c, n
1、准备
5 g8 j# n- [. V1 {! b3 j1 B4 f/ Y  N# U测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
5 t4 X5 N  g4 g3 F/ X& g" D+ V* N
2、判断电极$ D6 A2 w5 ?, z& ~
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。8 W4 w/ M1 Q7 W' K! o2 E) _

; S* p' z+ R2 W; h) I! h4 d3、检查放大能力(跨导)
. M* }2 S0 G9 K将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。3 k5 N1 C* }; m- N2 m
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。- t- I" d3 i% z

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。

该用户从未签到

2#
发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,
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