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本帖最后由 DuBois_1wwe 于 2022-4-15 16:10 编辑
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芯片行业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。芯片失效分析实验室,配备了国外先进的等离子蚀刻机(RIE)、光学显微镜、电子显微镜(SEM)和聚焦离子束机(FIB)等设备,满足各项失效分析服务的要求。& O5 D+ `1 V$ K- t; _' F; S! ^6 d
2 c' t5 G) a9 D' M3 c7 _" K
实验室拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段,全方位保证工程质量及项目文件的准确无误。/ X' o: T3 f9 s2 q
# b2 Z6 c- k M6 J" X) m+ F
失效分析流程:! `3 P; ~: g1 s
* J9 T! J6 _' j$ r
1、外观检查,识别crack,burnt mark等问题,拍照。
7 N g' V) _/ z) D7 Y7 D" g4 |3 v) ?. N7 [# R- I0 f( A
2、非破坏性分析:主要用xray查看内部结构,csam—查看是否存在delamination
$ w$ f, [6 O+ a# a% _) e7 W
& F" }% D5 W' s6 E5 s. N3、进行电测。' M' `4 a: j) I+ J( S: b3 U6 C: \
; G8 U' h2 ], Q2 o8 I4、进行破坏性分析:即机械机械decap或化学decap等 ' i1 C. C! @* v
常用分析手段:
. Q: J, X9 t* g( g: P* x" x1、X-Ray 无损侦测,可用于检测
* j' G/ Q+ r L
) p- O* e* h% P5 E1 S$ H8 u! B* IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
4 Z/ M1 j: @/ a" G1 D! s
9 k6 C' z0 O3 p4 b( m) j! P) Z* PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接
+ w: o- ?4 j- U: @ P3 c8 }8 p. x3 r
* 开路、短路或不正常连接的缺陷" D" O) s( Z% W7 ^5 }
3 b* s& J3 @4 h: J* 封装中的锡球完整性
$ N+ r- {' Q+ f. D7 j" N9 ~. B4 S" u% k$ z! R/ `. O
2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜
+ ]0 ^5 R; M- o* y5 X% r5 F7 d
# O' {5 _# k9 c. t: k可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕
" h2 N" s& I% a9 [7 ^/ z y) Z
9 u5 ?# k7 H6 H5 n2 p8 I晶元面脱层0 V4 v1 F2 Z; K: M
: x9 U3 _+ {5 k$ L, ~( p
锡球、晶元或填胶中的裂缝( I3 L9 S \! G7 {
, o( V1 n& @( P2 r% V- F
封装材料内部的气孔! L4 o4 T) h! `+ B) d. i) ~) D
- L$ S: S, h2 x8 y ]' `
各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞. C) H w+ h' v, R! q H7 @
; ?0 G4 L& i% x6 ^6 R! p3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
+ ?/ |. l( X, `# t5 A3 h% t, Y) y7 o6 n# Q! B! ]0 X! l [
可用于材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸2 s+ p! i. C1 E7 z" Y
& g1 H& k. t# N# g' f0 h; B, d/ M4、常用漏电流路径分析手段:EMMI微光显微镜 EMMI微光显微镜用于侦测ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。4 @9 h) w1 q }
4 S% B8 B; ]' ]' x% I0 r
5、Probe Station 探针台/Probing Test探针测试,可用来直接观测IC内部信号6 Z1 b' M/ c. t
8 Q& ]- o1 D7 X. f) K$ K- [! u6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试
! y8 O$ ~- |2 O( z1 g
! p7 g. h R/ E! Z5 d7、FIB切点分析
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8、封装去除
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先进的开盖设备和丰富的操作经验,能够安全快速去除各种类型的芯片封装,专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
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