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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析
7 p4 i, }. U. P* \8 C在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。
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) W1 }6 M7 X0 ~, f( E* f8 H图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图
$ I( f( }. d" ? b; Q* c( G图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:7 i9 V' k3 ~1 J- o$ ?
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图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
0 Y8 G1 p* V6 S- R0 b* ]差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.
) u5 |8 a6 W" M& h& [8 E5 e7 O图3、PCB差分走线间距与叠层
+ `( ~1 T) c; u从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。
/ D8 Q4 @2 w7 |2 g h( z5 Z图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。/ b& L- n: ?" V0 W" r5 b
, d& \' k. c/ s6 A% [: B图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果
* e0 ?# w: g! H. k从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。& o$ b3 H/ o9 N0 M1 N8 u
三、优化方案分析
2 w3 g/ ` \" c. ?1 [9 [- \- @* t对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。
3 f. s9 J. v8 G图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:5 x3 I6 t" O2 }9 a% _
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图5、紧耦合差分布线图
4 _* N0 R$ W5 S) G' r图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:4 \7 e( } [& \% a5 ?$ ]& X
% j) j- F6 Q0 L9 a图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果/ s* T0 B+ @8 w* S& M' R
从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。3 S# C/ Y1 S% }7 l) @& \ T9 U
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